BGS13S4N9E6327XTSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BGS13S4N9E6327XTSA1

商品编码: BM0058430895
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TSNP-9-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
The BGS13S4N9 RF MOS switch is specifically designed for cell phone and mobile applications
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.46
按整 :
圆盘(1圆盘有15000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.46
--
200+
¥1.16
--
1000+
¥1.06
--
3750+
¥1
--
7500+
¥0.962
--
75000+
产品参数
产品手册
产品概述

BGS13S4N9E6327XTSA1参数

射频类型通用电路SP3T
频率范围100MHz ~ 3GHz隔离19dB
插损0.55dB测试频率2.7GHz
阻抗50 欧姆电压 - 供电1.8V ~ 3.3V
工作温度-40°C ~ 85°C封装/外壳9-XFLGA
供应商器件封装TSNP-9-3

BGS13S4N9E6327XTSA1手册

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BGS13S4N9E6327XTSA1概述

BGS13S4N9E6327XTSA1 产品概述

概述

BGS13S4N9E6327XTSA1 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能射频(RF)MOS开关,专为手机及移动应用设计。该器件采用紧凑型的TSNP-9-3封装,具有优越的电气性能和出色的工作温度范围,使其在各种复杂的无线通信环境中表现出色。

设计特点

BGS13S4N9E6327XTSA1 的设计符合通用射频开关的要求,具备一系列优越的参数和特性。其主要参数如下:

  • 射频类型:通用射频开关,适用于不同频段的应用。
  • 电路类型:SP3T(Single Pole 3 Throw),可用于将信号在三个不同输出之间切换,灵活应对多种通信需求。
  • 频率范围:能够在100MHz至3GHz的频率范围内稳定工作,适用于2G、3G、4G及部分5G应用,能够应对未来无线通信的需求。
  • 隔离性能:具备17dB的隔离度,这意味着在信号切换时,各个通道之间的信号干扰较低,有助于提升整体信号质量。
  • 插损:仅有0.55dB的插损,确保信号在切换时的衰减最小化,提高通信效率。
  • 测试频率:在2.7GHz频率下进行性能测试,代表了产品在这个频段内的最佳表现。
  • 阻抗:固定为50欧姆,使其能够与大多数射频设备的输入输出匹配,简化了系统设计。
  • 电压范围:供电电压范围广泛,从1.8V到3.3V,使其应用的灵活性更高,可以适配多种电源设计。
  • 工作温度:该器件在-40°C至85°C的工作温度范围内稳定运行,确保在极端环境下仍能可靠工作。

应用领域

BGS13S4N9E6327XTSA1 尤其适合用于各种移动通信设备,例如智能手机、平板电脑及其他便携式通信设备。它能够有效支持多种射频应用场景,例如:

  • 信号切换:通过其SP3T的结构,可实现不同频段的信号切换,有效提升设备的多功能性。
  • 天线选择:适用于多天线系统中,能够在不同的天线间快速切换,以优化信号质量与覆盖范围。
  • 功率分配:可用于射频功率的分配与转换,使单一射频信号能够高效地分配到多个器件上。

优势

BGS13S4N9E6327XTSA1 的优越性能使其在众多竞争产品中脱颖而出。其高隔离度和低插损确保了信号质量的最优化,进而提升了整个通信系统的性能和可靠性。同时,宽广的工作电压和温度范围使得该产品可适应更为复杂和多样化的应用环境,满足高端移动设备的需求。

结论

BGS13S4N9E6327XTSA1 作为一款高效、可靠的RF MOS开关,理想于现代移动通信的广泛应用。凭借其高性能参数和灵活多样的应用场景,用户可以期待该产品在实现复杂的射频信号管理时所带来的卓越表现。无论是在设计新型设备,还是在优化现有产品时,BGS13S4N9E6327XTSA1都是不可或缺的理想选择。