射频类型 | 通用 | 电路 | SP3T |
频率范围 | 100MHz ~ 3GHz | 隔离 | 19dB |
插损 | 0.55dB | 测试频率 | 2.7GHz |
阻抗 | 50 欧姆 | 电压 - 供电 | 1.8V ~ 3.3V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C | 封装/外壳 | 9-XFLGA |
供应商器件封装 | TSNP-9-3 |
BGS13S4N9E6327XTSA1 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能射频(RF)MOS开关,专为手机及移动应用设计。该器件采用紧凑型的TSNP-9-3封装,具有优越的电气性能和出色的工作温度范围,使其在各种复杂的无线通信环境中表现出色。
BGS13S4N9E6327XTSA1 的设计符合通用射频开关的要求,具备一系列优越的参数和特性。其主要参数如下:
BGS13S4N9E6327XTSA1 尤其适合用于各种移动通信设备,例如智能手机、平板电脑及其他便携式通信设备。它能够有效支持多种射频应用场景,例如:
BGS13S4N9E6327XTSA1 的优越性能使其在众多竞争产品中脱颖而出。其高隔离度和低插损确保了信号质量的最优化,进而提升了整个通信系统的性能和可靠性。同时,宽广的工作电压和温度范围使得该产品可适应更为复杂和多样化的应用环境,满足高端移动设备的需求。
BGS13S4N9E6327XTSA1 作为一款高效、可靠的RF MOS开关,理想于现代移动通信的广泛应用。凭借其高性能参数和灵活多样的应用场景,用户可以期待该产品在实现复杂的射频信号管理时所带来的卓越表现。无论是在设计新型设备,还是在优化现有产品时,BGS13S4N9E6327XTSA1都是不可或缺的理想选择。