BAT54CLT3G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAT54CLT3G

商品编码: BM0058430517
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
肖特基二极管 1对共阴极 800mV@100mA 30V 200mA SOT-23
库存 :
10002(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.58
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.58
--
500+
¥0.193
--
5000+
¥0.129
--
10000+
¥0.092
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAT54CLT3G参数

二极管配置1 对共阴极安装类型表面贴装型
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)200mA(DC)二极管类型肖特基
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800mV @ 100mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2µA @ 25V反向恢复时间 (trr)5ns
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BAT54CLT3G手册

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无数据

BAT54CLT3G概述

产品概述:BAT54CLT3G 肖特基二极管

产品简介

BAT54CLT3G是一款高性能的肖特基二极管,采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装型号为SOT-23-3(TO-236)。该产品由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要快速切换和低正向压降的场合。BAT54CLT3G的额定电流为200mA,峰值反向电压为30V,适合用于整流、保护电路和高频应用。

主要参数

  1. 电流:BAT54CLT3G每个二极管的平均整流电流(Io)为200mA(直流),适合低功率应用。
  2. 正向电压(Vf):在100mA的正向电流下,该二极管的正向电压为800mV,低压降可以有效提高电路的整体效率。
  3. 反向电压(Vr):最大反向电压为30V,适合大多数低压电路的保护应用。
  4. 反向泄漏电流:在25V的反向电压下,反向泄漏电流仅为2µA,展示了其出色的绝缘性能和低功耗特性。
  5. 特性温度:工作结温范围为-55°C至125°C,适应各种严苛环境条件,保证了在高温和低温下的稳定性和可靠性。
  6. 反向恢复时间:反向恢复时间为5ns,适用于高频应用,能快速切换,有效减少开关损耗。
  7. 封装类型:产品采用SOT-23-3(TO-236)标准封装,便于安装在自动化生产线上,适合现代电子设备的小型化需求。

应用场景

由于其优越的电气特性,BAT54CLT3G被广泛应用于以下几个领域:

  1. 整流电路:该二极管适用于整流电路中,尤其是在电源转换器和电池充电器等应用中,可以有效降低损耗,提高能效。
  2. 信号保护:在电子设备中,BAT54CLT3G可用作信号保护二极管,防止反向电流对敏感电路造成损害,特别是在便携式设备和消费电子中。
  3. 开关电路:其快速反向恢复时间使其在高频开关电源等用途中表现出色,能够改善系统的整体效率。
  4. RF设计:由于其小信号处理能力,适合用于射频(RF)和微波信号的整流与保护电路,能有效提高信号的完整性。

设计注意事项

在使用BAT54CLT3G进行电路设计时,需注意以下几个方面:

  1. 散热设计:虽然这款二极管的正向压降较低,但在高负载情况下,仍需注意散热设计以避免过热。
  2. 反向偏置特性:在设计时要确保二极管工作在其额定反向电压范围内,以避免损坏。
  3. PCB布局:由于二极管在高频应用中的重要性,合理的PCB布局和走线设计可以显著提高电路性能,减少不必要的电磁干扰(EMI)。

总结

BAT54CLT3G是一款高效、可靠的肖特基二极管,具有优秀的电流处理能力和低压降特性,适合包括整流、信号保护以及高频开关电路在内的多种应用。品牌背景下的安森美半导体确保了该产品的质量与稳定性,是电子设计工程师值得信赖的选择。通过合理的应用和设计,BAT54CLT3G能够极大地提升电子设备的性能和可靠性。