BAT42W-E3-08 产品实物图片
BAT42W-E3-08 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAT42W-E3-08

商品编码: BM0058430508
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOD-123
包装 : 
编带
重量 : 
0.039g
描述 : 
肖特基二极管 650mV@50mA 30V 500nA@25V 200mA SOD-123
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.58
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.58
--
100+
¥1.27
--
750+
¥1.13
--
1500+
¥1.07
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAT42W-E3-08参数

二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V
电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)650mV @ 50mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度反向恢复时间 (trr)5ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500nA @ 25V不同 Vr、F 时电容7pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SOD-123
供应商器件封装SOD-123工作温度 - 结125°C(最大)

BAT42W-E3-08手册

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BAT42W-E3-08概述

BAT42W-E3-08 产品概述

概要

BAT42W-E3-08 是由威世(VISHAY)公司生产的一款高性能肖特基二极管,适用于各种电子设备中的低压、高频应用。以下是对此产品的详细介绍。

基本参数

  • 二极管类型: 肖特基二极管
  • 电压 - DC 反向 (Vr): 最大值 30V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 最大值 200mA(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650mV @ 50mA
  • 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr): 5ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500nA @ 25V
  • 不同 Vr、F 时电容: 7pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOD-123
  • 工作温度 - 结: 最大值 125°C

特性和优势

低正向压降

BAT42W-E3-08 具有非常低的正向压降,仅为 650mV @ 50mA。这使得它在需要最小化能量损耗和提高效率的应用中尤其有用,例如在电源转换器、信号处理和低功耗电子设备中。

高频性能

该二极管的反向恢复时间(trr)仅为 5ns,这使得它非常适合高频应用。快速恢复时间确保了在高频切换条件下,二极管能够快速恢复到非导通状态,从而减少开关损耗和噪声。

低反向泄漏电流

在 25V 的反向电压下,反向泄漏电流仅为 500nA。这意味着在长时间不导通状态下,能量损耗非常小,特别适用于需要长时间待机或低功耗运行的设备。

低寄生电容

BAT42W-E3-08 的寄生电容为 7pF @ 1V,1MHz,这对于高频应用来说是非常重要的。低寄生电容可以减少高频信号的失真和衰减,确保信号的完整性。

表面贴装封装

采用 SOD-123 表面贴装封装,使得 BAT42W-E3-08 易于在现代 PCB 设计中使用。这种封装形式不仅节省空间,还提高了生产效率和可靠性。

应用场景

电源转换器

由于其低正向压降和快速恢复时间,BAT42W-E3-08 非常适合用于各种类型的电源转换器,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。

信号处理

在信号处理应用中,低寄生电容和快速恢复时间使得该二极管能够处理高频信号,而不会引入显著的失真或噪声。

低功耗电子设备

对于需要长时间待机或低功耗运行的电子设备,BAT42W-E3-08 的低反向泄漏电流和低正向压降特性可以显著减少能量消耗。

高频通信设备

在高频通信设备中,如无线通信系统、射频模块等,BAT42W-E3-08 的快速恢复时间和低寄生电容使其成为理想选择。

工作条件

  • 工作温度范围:-55°C 至 125°C,这使得该二极管能够在广泛的环境条件下稳定运行。
  • 最大结温:125°C,确保了在高负载条件下也能保持可靠性。

总结

BAT42W-E3-08 是一款高性能肖特基二极管,通过其低正向压降、快速恢复时间、低反向泄漏电流和低寄生电容等特性,广泛应用于电源转换、信号处理、低功耗电子设备以及高频通信等领域。其表面贴装封装形式和广泛的工作温度范围进一步增强了其在现代电子系统中的适用性。对于需要高效、可靠且高频性能的应用,BAT42W-E3-08 是一个理想的选择。