BAS21SLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAS21SLT1G

商品编码: BM0058430474
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
开关二极管 1对串联式 1.25V@200mA 250V 225mA SOT-23
库存 :
171990(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.211
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.211
--
200+
¥0.137
--
1500+
¥0.119
--
3000+
¥0.105
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS21SLT1G参数

二极管配置1 对串联安装类型表面贴装型
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)225mA(DC)二极管类型标准
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)250V工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 200V反向恢复时间 (trr)50ns
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BAS21SLT1G手册

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BAS21SLT1G概述

BAS21SLT1G 产品概述

产品介绍

BAS21SLT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高性能开关二极管,采用SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装形式,特别适用于宽范围的电子电路应用。其优异的整流特性和快速恢复能力使其成为现代电子设备中不可或缺的重要电子元件。

主要参数

  1. 二极管配置与类型

    • BAS21SLT1G 包含1对串联二极管,能够有效地承受电流并提供稳定的整流功能。作为标准类型的二极管,它专为通用开关应用而设计。
  2. 电流特性

    • 平均整流电流(Io)为225mA(DC),这意味着在大部分工作条件下,它能够稳定处理该电流,不会因为过载而损坏。
    • 反向泄漏电流较低(100nA @ 200V),这表示在高反向电压应用时,其能实现更好的能量效率和稳定性。
  3. 电压特性

    • BAS21SLT1G 的最大直流反向电压(Vr)为250V,满足大多数高压应用需求,因此能够在多种电子设备中发挥关键作用。
    • 正向电压降(Vf)为1.25V @ 200mA,确保在正常操作条件下,二极管能以合理的效率工作。
  4. 速度特性

    • 该二极管支持快速恢复特性,反向恢复时间(trr)仅为50ns,使其适用于需要快速开关的应用场景。这一特性对于高频开关电源和射频应用尤为重要。
  5. 温度范围

    • 工作温度范围为-55°C ~ 150°C,在极端环境下仍能保持高可靠性,满足工业、汽车及消费电子设备中的多种应用需求。
  6. 封装特性

    • SOT-23-3(TO-236)封装使得BAS21SLT1G 适合表面贴装技术(SMT),能够有效节省电路板空间,并简化自动化焊接过程,提高生产效率。

应用场景

BAS21SLT1G 适用于多种电子电路应用,包括但不限于:

  • 开关电路:其快速响应特性和适度的整流能力使其非常适合用于各种开关电源电路,保障电源稳定与高效工作。

  • 信号整流:在音频设备及信号处理电路中,BAS21SLT1G 作为整流二极管,可以有效抑制信号失真,确保信号质量。

  • 保护电路:由于其高反向电压能力,适用于对敏感组件的保护电路,能够避免过电压带来的潜在损害。

  • 高频应用:其快速恢复特性使得在高频应用场景中表现出色,例如高频开关电源和通信设备。

竞争优势

BAS21SLT1G 的优势在于其出色的参数组合—较高的反向电压、低反向泄漏电流以及快速的反向恢复时间。这些特性使得它在众多二极管中脱颖而出。其广泛的工作温度范围进一步增强了其在多种应用环境中的适用性。

结论

综上所述,BAS21SLT1G 是一款集成了多种优异性能的开关二极管,适用于多样的应用领域。它的可靠性、高效性以及出色的电气特性,确保它成为各类电子设计中的理想选择。无论是在消费电子还是工业应用中,BAS21SLT1G 都能够提供稳定可靠的性能,帮助工程师更好地满足设计需求。