制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 8V @ 3.3A,10A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 700µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 4A,4V | 频率 - 跃迁 | 2MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 10A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
功率 - 最大值 | 75W | 基本产品编号 | MJE3055 |
MJE3055TG 是由 ON Semiconductor 生产的一种 NPN 型功率晶体管,广泛应用于高功率电子电路中。该晶体管采用 TO-220 封装形式,适合通孔安装,提供出色的散热性能和电气特性,使其成为工业、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。
MJE3055TG 具备丰富的功能特点,其高电流处理能力(最大可达 10A)和适中的电压等级(最大 60V)使得该晶体管在多种应用环境中表现优越。饱和压降低至 8V@3.3A 的性能使其在高效开关电源及功率放大器等应用中具备良好的电能转换效率。
此外,该晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 在 4A 时达到 20,表明它在大电流情况下仍能保持良好的增益,可满足多种信号放大及开关需求。其 2MHz 的跃迁频率使其适合处理高速信号,能够在现代电子产品中展现广泛的适应性。
MJE3055TG 的广泛应用使其在多个领域中均表现良好,常见的应用包括:
在设计电路时,采用 MJE3055TG 需要注意其工作范围内的最佳效率。尤其是在高功率应用中,需确保良好的散热措施。使用 TO-220 封装的优势在于其良好的热连接性,应确保合适的散热片安装以降低工作温度,防止晶体管过热而影响性能或导致损坏。
此外,设计师在设计过程中需关注输入信号特性及相应的驱动电路,以确保晶体管的开关特性满足需求。因此应特别关注其控制电流 Ib 的选择,使得在 Ic 的最大工作条件下可以有效驱动。
MJE3055TG 是一款性能均衡的 NPN 功率晶体管,凭借其高电流和电压能力、高效率及多用途特性,广泛适用于各类电子项目。无论是在音频放大、开关电源,还是在复杂电机控制中,它都能提供稳定可靠的性能,成为电子设计师和工程师的理想选择。使用 MJE3055TG,能够显著提升电路设计的质量及性能。