DTD543EMT2L 产品实物图片
DTD543EMT2L 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTD543EMT2L

商品编码: BM0058428654
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 12V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.447
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.447
--
500+
¥0.298
--
4000+
¥0.26
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTD543EMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)12V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)115 @ 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁260MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VMT3

DTD543EMT2L手册

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DTD543EMT2L概述

DTD543EMT2L 产品概述

1. 产品简介

DTD543EMT2L 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的高性能数字晶体管,采用 NPN 结构,适用于各种低功耗和中等功率的电子应用。该产品的设计考虑到了高频特性和优异的电流放大性能,特别适合用于开关电路、信号放大及其他相关领域。它在现代电子设备中扮演着至关重要的角色,满足了快速切换、高效率和小型化设计的需求。

2. 关键特性

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 500 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 12 V
  • DC 电流增益 (hFE): 在 100 mA 和 2 V 时,最小值为 115,确保了其在各种工作条件下的可靠性能。
  • 饱和压降 (Vce): 在 5 mA 和 100 mA 时,最大值为 300 mV,显示出较低的功耗特性。
  • 最大截止电流 (Ic cutoff): 500 nA,保证了低功耗待机状态,适合电池供电方案。
  • 频率响应 (跃迁频率): 260 MHz,能够保持良好的信号完整性,适用于高频应用。
  • 功率消耗: 最大功率为 150 mW,确保稳定运行和散热效率。
  • 封装类型: 表面贴装型,采用 SOT-723 封装(VMT3),便于自动化生产和组装,适合现代紧凑型电子设计。

3. 应用场景

DTD543EMT2L 在多个电子应用场景中表现出色,包括但不限于:

  • 消费电子: 在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中用作开关元件和信号放大器。
  • 工业设备: 在传感器、控制电路中广泛应用,通过稳定的电流控制实现精确的功能。
  • 汽车电子: 作为信号调理器和接口电路的组成部分,帮助提高汽车电子系统的可靠性和性能。
  • 通信设备: 由于其高频特性和出色的信号完整性,非常适合用于无线通信和数据传输设备。

4. 设计考虑

在设计使用 DTD543EMT2L 的电路时,设计师应考虑以下要素:

  • 基极电阻 (R1)发射极电阻 (R2) 的选择非常重要,建议使用 4.7 kOhm 的电阻以确保适当的偏置条件和稳定的工作点。
  • 散热管理: 虽然其最大功率为 150 mW,但在高功率密度应用中,适当的散热措施仍是必不可少的,以防止因温度过高而导致的性能下降。
  • PCB 布局: 采用 SOT-723 封装的元器件应注意引脚布局以及供电和接地的配线,以降低噪声和干扰,提高电路的整体性能。

5. 总结

DTD543EMT2L 是一款具有高性能特征的小型数字晶体管,适合多种当代电子设计需求。其出色的电流增益和高频特性,使其在各种应用中均能表现优异,是电子工程师的理想选择。通过合理的电路设计及应用,DTD543EMT2L 能够为各类电子产品的性能提升提供可靠的解决方案。无论是消费电子还是工业应用,该晶体管均展现出卓越的工作稳定性和广泛的应用潜力。