晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 260mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
DTC123JM3T5G是一款高性能的数字晶体管,采用NPN预偏压类型,专为满足各种电子应用而设计。该产品由安森美(ON Semiconductor)制造,具有出色的电流增益和稳健的电压耐受能力,适用于低功耗电子电路中的开关与放大功能。其小巧的SOT-723封装使其成为紧凑型电路中理想的选择,能够有效节省电路板空间。
DTC123JM3T5G的一些关键参数包括:
DTC123JM3T5G在不同的集电极电流 (Ic)、集射极电压 (Vce) 下显示出良好的直流电流增益 (hFE),其最小值为80,这在5mA和10V的工作条件下测试获得。这样的高增益特性使得该晶体管能够在较低的基极电流 (Ib) 下使集电极电流 (Ic) 达到较高值,从而提高了电路的效率。
此外,DTC123JM3T5G对于小信号(如1mA,10mA)时的Vce饱和压降最大值为250mV,这意味着在工作时可以有效降低功率损耗。同时,集电极截止电流的最大值为500nA,确保了在关闭状态下的极低漏电流,有助于提升系统的整体能效和寿命。
DTC123JM3T5G被广泛应用于诸如:
DTC123JM3T5G采用SOT-723表面贴装型封装,其小巧的设计非常适合于现代电子设备小型化的发展趋势。SOT-723封装通常易于在自动贴片机上进行组装,并能够实现高密度的PCB布局。这种封装方式不仅简化了生产过程,还提高了组件的可靠性。
总之,DTC123JM3T5G是一款性能卓越、便于集成的数字晶体管,专为满足多种应用需求而设计。凭借其优异的电流增益、合理的电压耐受能力、以及小巧的SOT-723封装,此组件适合广泛的电子设计师和工程师在各类产品中的使用。无论是在便携设备、音频放大器,还是在复杂的数字系统中,DTC123JM3T5G都能够提供可靠的解决方案,助力于优质产品的开发。