DTA123EMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTA123EMT2L

商品编码: BM0058428611
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-723
库存 :
3300(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.295
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.295
--
500+
¥0.197
--
4000+
¥0.171
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTA123EMT2L参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VMT3

DTA123EMT2L手册

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DTA123EMT2L概述

DTA123EMT2L 产品概述

概述

DTA123EMT2L 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-723 封装,适合表面贴装。该元件由著名品牌 ROHM(罗姆)制造,具有优越的性质,主要用于低功率放大和开关应用。其设计目标是为更广泛的电子设备提供高效能、低能耗解决方案,尤其在数字电路和信号处理应用中表现突出。

主要特性

  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 100 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50 V
  • 最大功耗: 150 mW
  • 频率 - 跃迁频率: 250 MHz
  • 封装类型: SOT-723
  • 最小 DC 电流增益 (hFE): 20 @ 5 mA,5 V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 2.2 kΩ
  • 最大饱和压降 (Vce饱和): 300 mV @ 500 µA,10 mA
  • 最大集电极截止电流 (Ic(切)): 500 nA

产品应用

DTA123EMT2L 主要用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电路: 此晶体管可用于实现高效的开关功能,适合用于电源管理和信号调节。
  • 放大电路: 其高增益特性使其成为信号放大的理想选择,特别是在低功率和高频率应用中。
  • 信号处理: 由于其快速的跃迁频率,DTA123EMT2L 适合用于信号接收和处理的电路。
  • 数字电路: 此器件专为数字电路而设计,能与微控制器和其他数字逻辑器件无缝集成。

性能优势

  1. 高频性能: 250 MHz 的跃迁频率使得 DTA123EMT2L 在高频应用中表现出色,能够轻松满足高速开关需求。
  2. 优越的电流增益: 最小20的 DC 电流增益(hFE)提供了强大的放大能力,使其在多种应用中能够更好地发挥性能。
  3. 低功耗特性: 150 mW 的最大功耗设计,因此在低功耗驱动条件下表现良好,有助于延长电池寿命。
  4. 紧凑的封装: SOT-723 封装占地面积小,易于在空间受限的电路板上安装,有助于提高系统的集成度。

设计考虑

在设计电路时,使用 DTA123EMT2L 时应注意:

  • 确保电压和电流不超过其最大额定值,以防止器件损坏。
  • 根据应用需求选择合适的偏置电阻(如 R1 和 R2),以确保晶体管的稳定工作。
  • 考虑使用适当的散热措施,以处理150mW的功耗,确保不会因为过热而导致性能下降。

结论

总之,DTA123EMT2L 是一款设计精良的 PNP 数字晶体管,适用于各种高效、低功耗电子设备。它的紧凑封装、高增益以及快速切换能力使其成为当今电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在新产品开发,还是在现有产品的升级中,DTA123EMT2L 都是一个值得推荐的解决方案。借助 ROHM 作为品牌背书,用户可以放心选用该器件,以实现更高效、更可靠的电子设计。