MBRA210LT3G 产品实物图片
MBRA210LT3G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MBRA210LT3G

商品编码: BM0058428051
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SMA
包装 : 
编带
重量 : 
0.124g
描述 : 
肖特基二极管 350mV@2A 10V 700uA@10V 2A SMA(DO-214AC)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.55
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.55
--
100+
¥3.8
--
1250+
¥3.51
--
2500+
¥3.34
--
5000+
¥3.19
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MBRA210LT3G参数

二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)10V
电流 - 平均整流 (Io)2A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)350mV @ 2A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏700µA @ 10V
安装类型表面贴装型封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装SMA工作温度 - 结-55°C ~ 125°C

MBRA210LT3G手册

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MBRA210LT3G概述

产品概述:MBRA210LT3G

1. 产品简介

MBRA210LT3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能肖特基二极管,封装类型为 SMA(DO-214AC),适用于各种低电压高电流的 rectification 应用。其卓越的电气特性及可靠的性能使其成为电子设计工程师的理想选择,特别是在计算机、通信和电源管理等领域。

2. 基本参数

MBRA210LT3G 的基础参数包括:

  • 电压 - DC 反向 (Vr):该二极管能够承受最大10V的反向电压,这对于许多低电压高频应用来说是非常理想的。
  • 电流 - 平均整流 (Io):其平均整流电流为2A,能够处理适当的负载电流。
  • 正向电压 (Vf):在2A的负载下,其正向电压降为350mV,显著低于传统硅二极管的电压降,这有利于减少功耗及发热量。
  • 反向泄漏电流:在10V的反向条件下,反向泄漏电流为700µA,显示出较低的电流损失。
  • 恢复速度:该二极管实现快速恢复,恢复时间小于500ns,适合高频应用。

3. 产品应用

MBRA210LT3G 的设计使其适用于多种应用场景,包括:

  • 电源管理:在DC-DC转换器和电源适配器中作为整流组件,MBRA210LT3G 能够有效提升转换效率并降低发热。
  • 开关电源:其快速恢复特性使其成为开关电源电路的优选元件,能有效减小开关损耗及EMI干扰。
  • 通信设备:广泛应用于手机基站、路由器等通信设备中,帮助稳定电源及信号传输。
  • 逆变器和变换器:由于其高整流能力,可作为太阳能逆变器及其他电源转换器的整流组件,提升系统效率。

4. 性能优势

MBRA210LT3G 在其行业中具备以下几项显著优势:

  • 低导通电压:由于肖特基二极管特有的结构,其正向电压降极低,能显著减少能量损耗,特别是在高电流应用中,这一点尤为重要。
  • 高频性能良好:相比于普通二极管,肖特基二极管具有更快的开关特点,这使得MBRA210LT3G能在高频率下工作而不会产生显著的延迟或损失。
  • 宽工作温度范围:其工作温度范围为-55°C ~ 125°C,使得该产品可以适应严苛的工业及环境条件,提升了产品的可靠性和稳定性。
  • 表面贴装型设计:采用SMA封装,便于自动化生产,减少人力成本,提高整体生产效率。

5. 结论

总体来说,MBRA210LT3G 肖特基二极管凭借其低正向电压降、优秀的反向电压承受能力以及快速的恢复时间,已成为电子工程师在电源设计等领域的首选器件。作为安森美的优质产品,其在工业、消费电子和通信领域的应用前景广阔,值得广大设计工程师在相关项目中选用与实现。

它不仅提高了设备的能源使用效率,并且确保了性能的稳定和可靠,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组件。