M74VHC1GT14DFT1G
M74VHC1GT14DFT1G参数
| 特性 | 施密特触发器 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 逻辑电平 - 高 | 1.6V ~ 2.1V | 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟 | 10.6ns @ 5V，50pF |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C | 电流 - 静态（最大值） | 1µA |
| 逻辑电平 - 低 | 0.35V ~ 0.6V | 电压 - 供电 | 3V ~ 5.5V |
| 输入数 | 1 | 逻辑类型 | 反相器 |
| 电流 - 输出高、低 | 8mA，8mA | 电路数 | 1 |
| 供应商器件封装 | SC-88A（SC-70-5/SOT-353） | 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
M74VHC1GT14DFT1G手册
M74VHC1GT14DFT1G概述
产品概述：M74VHC1GT14DFT1G 施密特触发器反相器
概述
M74VHC1GT14DFT1G 是一款高性能施密特触发器反相器，采用表面贴装技术（SMD），具有广泛的应用于各种数字电路中的能力。由安森美（ON Semiconductor）制造，它集成了先进的CMOS技术，不仅确保了功耗低且在高速操作时稳定性良好，尤其适合需要高速和低功耗的应用场景，例如便携式设备、储存器和通信设备等。
主要特性
施密特触发器设计：M74VHC1GT14DFT1G 具备施密特触发器的特性，使其在处理具有快速变化的输入信号时，可以有效减少输入信号的噪声。施密特触发器的设计使得其在输入变化的阈值上具有一定的滞后，这有助于提高信号转化的稳定性。
电源电压范围：该器件支持广泛的供电电压范围，从3V至5.5V，使其能够适应不同的电源配置，这对于嵌入式系统和电池供电设备尤其重要。
低功耗：包含1µA的最大静态电流，大大降低了在待机状态下的功耗，特别适合于电源受限的应用场景。
良好的逻辑电平范围：该器件在逻辑高电平的范围为1.6V至2.1V，逻辑低电平的范围为0.35V至0.6V，确保了与其他逻辑器件的良好兼容性。
输出能力：器件的电流输出能力为8mA，能够为负载提供充足的驱动性能，适用于多种复杂的逻辑电路情况。
快速传播延迟：在5V供电和50pF负载条件下，最大传播延迟为10.6ns，这使得M74VHC1GT14DFT1G 可用于高速数据处理，通过高效的响应能力满足现代数字电路对速度的要求。
广泛的工作温度范围：该器件可以在-55°C 至 125°C 的环境温度下正常工作，适应于各种恶劣的工作环境，非常适合汽车、工业控制和航空航天等应用领域。
封装信息
M74VHC1GT14DFT1G 采用 SC-88A （SC-70-5/SOT-353） 封装，适合表面贴装，具有良好的小型化特性，适合现代电子设计中对空间的严格要求。其封装尺寸小，有助于集成设计以及提高电路密度。
应用领域
M74VHC1GT14DFT1G 的应用极为广泛，主要包括但不限于以下几方面：
- 通信设备：用于信号转换和数据整形，极大地改善信号传输质量。
- 便携电子产品：由于其低功耗特性，非常适合于需要长时间使用电池供电的设备，如移动电话、平板电脑等。
- 汽车电子：适应性强的温度范围，使其能够在汽车电子设备中稳定运行。
- 工业控制：在复杂的工业控制系统和仪器中，能够提供可靠的逻辑控制能力。
结论
M74VHC1GT14DFT1G 是一款功能强大且灵活的施密特触发器反相器，凭借其优良的性能参数和极其广泛的应用范围，成为现代电子产品设计中不可或缺的组成部分。其低功耗、高速度、优良的温度适应性，以及紧凑的封装设计，使得它在各种应用中均能实现卓越的表现。无论是新项目开发还是现有系统的升级，M74VHC1GT14DFT1G 都是一个理想的选择。