功率(Pd) | 42W;6.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@20A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 37.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.15nF | 连续漏极电流(Id) | 85A;39A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
AON6794是一种高性能的N沟道MOSFET,专为各种高效能应用而设计。作为AOS旗下的一款优质半导体产品,AON6794以其出色的电气特性和可靠的性能,成为现代电子设计中的理想选择。
AON6794的功率处理能力达到42W,具有6.2W的连续功率损耗能力,额定电压为30V,最大栅极驱动电压可达到85A。这使得AON6794特别适合需要高电流和高电压的场景,如DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等应用。其最大连续漏极电流为39A,确保在极端工作条件下也能保持稳定的运行。
AON6794采用DFN-8(5x6mm)封装,这种紧凑的封装设计使得其在PCB布局上具有很大的灵活性,为节省空间和提高电路密度提供了便利。DFN封装不仅有助于降低电感和电阻,从而提升热管理能力,还能够改善散热性能,使MOSFET在长时间高负载下依旧可以保持稳定的工作状态。
AON6794展现出极低的导通电阻(RDS(on)),其值约为10mΩ(在特定条件下),这意味着在正常工作中可以提供极低的功耗和高效率。这对于降低系统的热量产生至关重要,尤其是在高频开关应用中,减小导通损耗可以有效提高系统整体效率。
此外,AON6794的开关速度也非常出色,具备低栅极电容量,能够实现快速开关操作。这使得AON6794在逆变器、PWM驱动和调光电源等快速调制应用中,能够提供更加迅速和精确的控制。
AON6794广泛应用于多个领域,包括:
电源管理模块:其高电流和低导通电阻使其成为DC-DC转换器、充电器以及电源管理解决方案中的核心元件。
驱动电路:在各种电机驱动、高速开关电源和LED驱动系统中,它能够提供出色的性能。
消费电子:用于智能手机、笔记本电脑及其他便携式设备中,以提升电源转换效率。
汽车应用:适用于电动汽车和混合动力汽车中的电源管理和电机控制系统,以满足高效能与高可靠性的要求。
总体而言,AON6794凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计,成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。无论是在高效能的电源管理、快速开关应用还是各种高性能驱动领域,AON6794都能够提供优秀的解决方案。其在热管理、功率损失和开关速度方面的表现,使其在提高系统效率与可靠性方面脱颖而出,是工程师们在选购MOSFET时的重要考虑对象。通过选择AON6794,设计人员能够更好地实现高效能、高可靠性的电子产品设计。