CSD87502Q2
CSD87502Q2参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32.4 毫欧 @ 4A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 353pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
CSD87502Q2手册
CSD87502Q2概述
CSD87502Q2 产品概述
一、产品简介
CSD87502Q2是一款由德州仪器(Texas Instruments, TI)生产的高性能双N沟道MOSFET，采用创新的6-WSON（2x2）表面贴装封装形式。这款器件具有卓越的电气性能，尤其适用于电源管理、负载开关和其他高效能电子应用。结合其高可靠性和广泛的工作温度范围，CSD87502Q2旨在满足各种苛刻环境下的需求。
二、主要参数
导通电阻（Rds(on)）： 在4A的漏极电流和10V的栅源电压下，该MOSFET的导通电阻最大值为32.4毫欧。这一特性使得CSD87502Q2在电源转换和负载驱动中能够有效减少功耗，提升整体系统效率。
连续漏极电流（Id）： 该器件能够承受高达5A的连续漏极电流。这使得其可以用于要求较高电流负载的应用，如DC-DC转换器、电池管理系统等。
漏源电压（Vdss）： CSD87502Q2的最大漏源电压为30V，适合用于中小电压应用。此特性确保了该器件能够在较高电压下正常工作而不发生击穿。
输入电容（Ciss）： 在15V的工作条件下，CSD87502Q2的最大输入电容为353pF。低输入电容使得该器件在开关频率较高的操作条件下仍能保持快速高效的开关响应。
栅极电荷（Qg）： 在10V栅源电压下，该FET的最大栅极电荷为6nC，确保快速的切换速率和较低的开关损耗。
阈值电压（Vgs(th)）： CSD87502Q2的阈值电压（Vgs）在250µA下的最大值为2V，提供了良好的开启特性，便于电路设计人员在选择阈值电压时考虑。
工作温度范围： 此MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端工作环境下使用，使其具有良好的可靠性和耐用性。
功率最大值： CSD87502Q2的最大功耗承受能力为2.3W，适用于小功率高效率的设计需求。
三、应用领域
CSD87502Q2适用于多种应用，包括但不限于：
电源管理： 在DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理电路中，CSD87502Q2作为主开关FET，能够有效提高转换效率，减少待机功耗。
负载开关： 适用于驱动电机、灯光和其他电子负载的开关控制。其低导通电阻特性可确保在大电流负载情况下的高效率。
电池管理系统： 在便携式电子产品和电动工具中使用的电池管理系统中，CSD87502Q2可用于电源分配，确保在高负载下的稳定性和可靠性。
开关模式电源（SMPS）： 在开关模式电源设计中，CSD87502Q2可作为开关元件，提高开关频率响应并降低损耗。
汽车电子应用： 鉴于其宽温度范围和高可靠性，CSD87502Q2非常适合用于汽车电子模块，为电源管理和控制电路提供支持。
四、总结
CSD87502Q2是一款卓越的双N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围和高可靠性，成为多种电源管理应用的理想选择。无论是在电源转换、负载开关还是电池管理系统中，该器件均展现出优异的性能和灵活的应用潜力。对于关注效率、功耗和可靠性的设计人员而言，CSD87502Q2无疑是一个值得信赖的选择。