CSD19537Q3
CSD19537Q3参数
| 制造商 | Texas Instruments | 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-VSON（3.3x3.3） | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680pF @ 50V | 基本产品编号 | CSD19537 |
CSD19537Q3手册
CSD19537Q3概述
产品概述：CSD19537Q3
概述
CSD19537Q3是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款高性能N通道绝缘栅场效应管（MOSFET），属于其著名的NexFET™系列。这款MOSFET以其卓越的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，成为高效能电源管理和开关应用的理想选择。CSD19537Q3广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电动机驱动、电子负载等领域。
主要特点
电流管控能力：CSD19537Q3的连续漏极电流（Id）高达50A（在25°C环境温度下），使其能够满足对高电流需求的应用，为设计提供了更大的灵活性。
低导通电阻：本器件在10V的栅压下，最大导通电阻（Rds(on)）可低至14.5毫欧，对于降低开关损耗至关重要，有助于提高整体效率，降低热量产生。
宽工作温度范围：CSD19537Q3的工作温度范围从-55°C到150°C，意味着该MOSFET可以在极端环境中可靠运行，尤其适合航天、汽车和工业等领域的应用。
高耐压特性：其漏源电压（Vdss）达到100V，可应用于多个高电压电路设计，进一步扩充了其适用场景。
优化的驱动特性：设计中所需的驱动电压（Vgs）范围在±20V之间，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为3.6V，这使得该MOSFET能够在较低电压的驱动下快速开启与关闭，适应高频率开关应用。
低输入和栅极电荷：其输入电容（Ciss）达到1680pF @ 50V，栅极电荷（Qg）最大为21nC @ 10V，这对于提高高速开关时的性能、降低驱动功耗至关重要。
封装与设计
CSD19537Q3采用表面贴装型的8-PowerVDFN封装，外形尺寸为3.3mm x 3.3mm，适合高密度 PCB 设计。卷带包装（TR）使得其在自动化生产中更为便利，符合现代电子产品的小型化和高集成度趋势。
应用领域
CSD19537Q3广泛适用于各类电子产品和系统中，尤其在以下领域表现出色：
- 电源管理：用于高效的DC-DC转换器、开关电源和直流电机驱动。
- 电动工具：在电动工具中可用作高效开关，提升系统性能和延长电池寿命。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中具备出色的热稳定性和高电流承载能力。
- 集成电路和模块：可在各类功率模块中作为关键元器件，提升整体系统的可靠性与效率。
总结
CSD19537Q3凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。高达50A的电流能力、超低的导通电阻以及极佳的散热性能，使其在追求高效能和高可靠性的各类应用中，具有明显的竞争优势。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，CSD19537Q3均能提供稳定的性能和可靠的解决方案，助力设计人员实现更高效的产品开发。