存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | EEPROM |
技术 | EEPROM | 存储容量 | 8Kb (1K x 8) |
存储器接口 | I²C | 时钟频率 | 1MHz |
写周期时间 - 字,页 | 4ms | 访问时间 | 450ns |
电压 - 供电 | 1.8V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
一、基本信息
M24C08-DRDW8TP/K 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 EEPROM 存储器,采用 8-TSSOP 封装。这款 EEPROM 具有 8Kb(1K x 8 位)的存储容量,适合各种对非易失性存储有需求的应用。其工作电压范围为 1.8V 到 5.5V,使其能在低功耗和高性能之间找到很好的平衡。
二、关键特性
存储器类型:M24C08 为 EEPROM 类型的非易失性存储器,这意味着即使在断电状态下,存储的数据也不会丢失。相较于普通的 SRAM 或 DRAM,EEPROM 提供了更可靠的数据保持能力,广泛应用于各种嵌入式系统。
存储容量:该器件具有 8Kb(1K x 8 位)的存储容量,适合存储小型配置数据、校准数据和其他非易失性信息。其格式是按字节组织的,有助于灵活且高效的数据读写。
接口:M24C08 使用 I²C(Inter-Integrated Circuit)总线接口,这是一种广泛使用的串行通信协议,简化了设备间的连接和通信。该接口兼容于多种微控制器和处理器,支持多主机和多从机的架构。
时钟频率:该 EEPROM 的最大时钟频率为 1MHz,能够满足大多数嵌入式应用对于数据传输速率的要求。
写周期时间:对于单个字的写入,M24C08 的写周期时间为 4ms,这对于非易失性存储器来说是一个相对较快的写入能力,尤其适合频繁更新的数据场景。
访问时间:450ns 的访问时间为读操作提供了快速的响应能力,这对于时间敏感型的应用尤其重要(如实时数据记录)。
工作温度范围:M24C08 可在 -40°C 到 +105°C 的温度范围内正常工作,使其适用于工业、汽车和其他极端环境的应用场景。
低电压操作:供电电压范围为 1.8V 至 5.5V,使得该存储器适合用于低功耗设计,延长电池供电的设备的使用寿命。
三、应用场景
M24C08-DRDW8TP/K EEPROM 的设计使其适合广泛的应用,包括但不限于:
四、总结
总的来说,M24C08-DRDW8TP/K 作为一款 8Kb 的 EEPROM 存储器,在特性和性能方面均能满足现代电子产品对于非易失性存储的要求。其高达 105°C 的工作温度范围和宽广的电压供电适应性使其非常适合在各种苛刻的应用场景中使用。此外,采用 I²C 接口简化了与其他设备的通信,为设计师提供了极大的便利。这些特点使得 M24C08 成为各种涉及数据存储的设计中的理想选择。