类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 24V(最小) | 电压 - 击穿(最小值) | 25.7V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 44V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 8A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 350W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 汽车级 | 不同频率时电容 | 60pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
SZNUP1105LT1G 是安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款静电和浪涌保护器件,主要用于汽车级应用场景。该器件具有高效的保护特性,能够在各种恶劣环境下提供可靠的电气保护,确保敏感电子设备的稳定性和安全性。
SZNUP1105LT1G 是一种齐纳二极管,主要用于保护电路免受瞬态过电压及静电放电(ESD)的影响。其反向断态电压(Vr)典型值为24V,最小值为25.7V,能够在电气设备遭受高压冲击时有效限制其电压,防止因超压而导致元件损坏。
该器件具有高达8A的峰值脉冲电流能力(10/1000µs脉冲宽度),表现出色的瞬态处理能力。这使得 SZNUP1105LT1G 能够应对短时间内的高电流浪涌,如汽车启动时瞬时高电流或其他电气设备工作过程中产生的突发电流。此外,器件的峰值脉冲功率达到350W,进一步增强了其对瞬态电压的承受能力。
在不同的瞬态电流情形下,SZNUP1105LT1G 的电压钳位最高可达到44V,这一特性为电子元件提供了额外的保护层。当电压超过阈值时,器件能够迅速导通短路至地,限制后续电路中的电压上升,维护下游电路的安全。
在频率特性方面,SZNUP1105LT1G 的电容为60pF(在1MHz时测量),这使得其在高频信号应用中依然能够保持良好的性能。较低的电容值有助于减少对信号的影响,使其在高速数据传输场合更具适应性。
SZNUP1105LT1G 采用了宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),适合在极端环境下使用,尤其是汽车电子应用中的高温和低温环境。这使得它不仅适用于汽车,还适合各种工业、通信和消费类电子产品的各种使用条件。
该器件采用 SOT-23 表面贴装封装,使得其在现代电子设备中具备小型化优势,便于焊接及布线上设计。SOT-23 封装的设计不仅有效节省了PCB空间,同时也保证了良好的热性能和电气特性。
SZNUP1105LT1G 的设计理念主要面向汽车电子市场,但其防静电和浪涌保护的特性也同样适用于其他领域,包括消费电子、工业控制、数据通信以及其他需要保护的高可靠性应用场景。随着电子设备的持续微型化与复杂化,对保护器件的需求日益增加,SZNUP1105LT1G 在市场上显示出了很强的竞争力。
SZNUP1105LT1G 是一款高效、可靠的静电和浪涌保护器件,其独特的性能使其广泛适用于现代电子设备中的多种应用场景。无论是在汽车电子还是其他严苛的工业环境中,这款器件都能提供出色的性能并确保设备的安全性,是设计师和工程师在选择保护方案时的优良选择。