STW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 188 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1090pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW25N60M2-EP手册
STW25N60M2-EP概述
产品概述：STW25N60M2-EP
STW25N60M2-EP是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计，具有极佳的导通性能和热管理能力。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）制造，适用于电源转换、开关电源、逆变器以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子设计。
主要技术参数
- FET类型: N沟道MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 18A（在25°C机壳温度下）
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On）
- 导通电阻 (Rds On): 188毫欧（在9A、10V下）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值4.75V（在250µA下）
- 栅极电荷 (Qg): 最大值29nC（在10V下）
- 栅极-源电压 (Vgs): 最大值±25V
- 输入电容 (Ciss): 最大值1090pF（在100V下）
- 功率耗散: 最大值150W（在Tc下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 安装类型: 通孔
- 封装: TO-247（3引脚）
功能特性
STW25N60M2-EP采用先进的MOSFET技术，确保了其在高压应用中的稳定性和高效率。该器件的Rds On值为188毫欧，意味着在正常工作条件下可以大幅减少导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的额定漏电压600V使其能够在电力电子领域中对抗高电压应用，适用于逆变器、开关电源等常见应用。
其最大功率耗散为150W，结合广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），使得STW25N60M2-EP能够在苛刻的环境下可靠运行，为用户的设计提供了更高的灵活性与可靠性。
在驱动方面，该MOSFET支持高达±25V的栅极-源电压，并且在10V的驱动条件下具有良好的栅极电荷表现，使得其与驱动电路的兼容性和响应速度相当出色。这对于高频开关应用尤其重要，能够确保快速的开关能力和低的开关损失。
应用场景
考虑到其杰出的电气性能，STW25N60M2-EP在多个领域的应用非常广泛，包括但不限于：
开关电源: 在电源适配器、充电器和LED驱动器等应用中，STW25N60M2-EP可以作为主要开关元件，确保高效的电能转换。
电机控制: 该MOSFET适用于电机驱动和控制应用，如无刷直流电机（BLDC）驱动器，具备高功率和高电压的特性，能够有效提升电机效率和性能。
逆变器: 在光伏逆变器及其他类型的逆变器中，STW25N60M2-EP能够处理较高的直流电压，从而实现高效的电能转化。
电力电子系统: 由于其出色的热稳定性和电气性能，STW25N60M2-EP也适用于其他高性能的电力电子设备与模块设计中，如UPS电源与电力转换器。
总结
STW25N60M2-EP是一款卓越的MOSFET，以其600V高压和18A的高电流能力，配合优异的导通性能和宽广的工作环境，成为电力电子领域理想的选择。意法半导体凭借其先进的半导体技术，为设计工程师提供了一个高效、可靠且多功能的解决方案，助力各种电力应用的开发。无论是在电源电路的优化，还是在复杂的电机控制应用中，STW25N60M2-EP都将为实现高效能提供强有力的支持。