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STU3N62K3
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-251-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 620V 2.7A 1个N沟道 IPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.71按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.71
--
100+
￥5.59
--
750+
￥5.19
--
1500+
￥4.94
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
STU3N62K3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 620V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 385pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STU3N62K3手册
无数据
STU3N62K3概述
STU3N62K3 产品概述
概述
STU3N62K3 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计主要用于高电压和高电流应用。这款场效应管的最大漏源电压为620V，连续漏极电流为2.7A，在较高的工作温度下依然保持良好的性能，适合在工业电源转换、照明控制、马达驱动等多种场合应用。
基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 620V
- 连续漏极电流 (Id): 2.7A (在 25°C 时)
- 导通电阻 (最大值): 2.5 Ω @ 1.4A, 10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)) (最大值): 4.5V @ 50µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值): 13nC @ 10V
- 栅源电压 (Vgs) (最大值): ±30V
- 输入电容 (Ciss) (最大值): 385pF @ 25V
- 功率耗散 (最大值): 45W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装与特性
STU3N62K3 采用 I-PAK（TO-251-3）封装，适合通孔安装，这种封装设计提供了良好的热管理性能和空间利用率。该封装结构的特点使其能够在不同的环境条件下稳定工作，同时简化了在电路板上的布局。
应用场景
STU3N62K3 并通过其出色的电气特性与高工作温度适应性，可以广泛应用于：
- 开关电源：用于 DC-DC 转换器中，能有效控制输出电压。
- 电动机驱动：在马达控制电路中作为开关元件，能够提高电动机的效率和节电。
- 灯光控制：在 LED 驱动电路中提供稳定的电流支持，用于调光或开关控制。
- 电力电子设备：用于逆变器和其他电力转换器中，支持更高电压和电流的应用。
性能优势
STU3N62K3 的设计和制造工艺使得其在高电压工作下依然能够保持较低的导通电阻，这将有助于降低整体功耗和发热，提高系统效率。此外，其适应性广的工作温度范围使得该元件能够在严酷的环境下稳定工作，确保了设备的可靠性。
结论
STU3N62K3 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，成为众多电子应用中的理想选择。无论您是从事电源设计、马达驱动还是照明控制，该元件都能为您提供稳定的性能支持，有助于提升整体系统的效率和可靠性。选择 STU3N62K3，您将得到一款在现代电力电子领域展现出色性能的元器件，是您电子设计中不可或缺的一部分。