STS9NH3LL
STS9NH3LL参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 857pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
STS9NH3LL手册
STS9NH3LL概述
STS9NH3LL 产品概述
概要
STS9NH3LL 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有出色的电气性能和广泛的应用潜力，特别适用于各种高效能开关电路和功率管理系统。该器件支持高达 30V 的漏源电压，在设计中具有优异的热稳定性和高效的电流传导能力，使其成为许多电子设备的理想选择。
主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 25°C 时连续漏极电流 (Id): 9A
- 驱动电压: 最大 Rds On 为 4.5V 和 10V
- 导通电阻: 在 4.5A 和 10V 时，最大值为 22 毫欧
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1V（在 250µA 条件下）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 10nC（在 4.5V 下）
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 857pF（在 25V 条件下）
- 功率耗散: 最大值为 2.5W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 安装类型: 表面贴装
- 封装类型: 8-SOIC（0.154"、3.90mm 宽）
性能特点
导通电阻与热特性: STS9NH3LL 的导通电阻[Rds(on)] 低至 22 毫欧，这为其提供了在较低电压下仍能有效承载较高电流的能力，极大降低了功率损耗。此外，其额定功率耗散为 2.5W，使得即使在高负荷下运行，器件也能保持低温，提高了系统的可靠性。
工作温度范围: 该器件具有宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，适用于各种极端环境条件，特别适合航空航天、汽车电子和工业应用。
低阈值电压: Vgs(th) 值为 1V，低阈值电压使得该 MOSFET 可以在较低的驱动电压下开启，为电路设计提供了极大的灵活性，并有助于节能。
高频性能: 由于其较低的输入电容（Ciss），该器件在高频应用中也表现出良好的性能，使其适用于开关电源和其他高频切换电路。
应用领域
由于其优异的电气性能和稳定性，STS9NH3LL 广泛应用于多种领域，包括：
- 电源管理: 作为开关元件，用于电源转换和分配。
- 汽车电子: 用于电机控制、照明和其他汽车系统的高效开关。
- 工业自动化: 在驱动和控制系统中使用，以实现高效的能源管理。
- 消费电子产品: 适用于需要高效率和小型封装的设备，如便携式电源和充电器。
设计考虑
在进行设计时，应考虑到 STS9NH3LL 的最大工作电压和电流，确保在运行过程中不超过这些限制。此外，为了提升散热性能，建议合理布局 PCB 并使用适当的散热片。
结论
STS9NH3LL 是一款在低电阻和高电流承载方面优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高耐温性和出色的电气性能，为多种应用提供了高效的解决方案。通过合理的设计与布局，工程师可以充分发挥其潜力，实现更高效、稳定的电源管理与控制，满足现代电子产品日益严苛的性能需求。