STR2N2VH5

STR2N2VH5 产品概述

产品简介

STR2N2VH5是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为在各种电子电路中提供高效率开关和线性放大而设计。其工作电压为20V，额定电流为2.3A，能够在不同的温度和电压条件下稳定工作，是现代电子设备中的关键组件之一。此MOSFET采用表面贴装型SOT-23封装，满足当今不断追求高集成度、小型化的电子设计需求。

关键参数

1. 漏源电压（Vds）: 最大可承受20V的漏源电压，使其适用于多种中低压应用。
2. 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V的栅极驱动电压下，导通电阻最大为30毫欧，对于2A电流具有优异的导电性能，保证了低功耗和高效能。
3. 栅源电压（Vgs）: 最大栅源电压为±8V，提供较宽的操作范围，增强了电路的灵活性。
4. 输入电容（Ciss）: 输入电容在16V下最大为367pF，确保在开关操作时快速反应，适用于高频应用。
5. 栅极电荷（Qg）: 在4.5V下的最大栅极电荷为4.6nC，表明在开关过程中能够快速充电和放电，提高开关特性。
6. 功率耗散: 最高功率耗散为350mW（条件下温度Tc），使得STR2N2VH5能够在高负载情况下有效散热。
7. 工作温度范围: 它的工作温度范围广泛，从-55℃到150℃，使其能够在极端环境条件下正常工作。

应用场景

由于其卓越的电性参数，STR2N2VH5适用于多种电子电路，包括但不限于：

• 开关电源: 在开关电源中，它能够快速开关，降低开关损耗，从而提高整体效率。
• 电机驱动: 在电动机控制应用中，高速切换和高电流能力使其适于H桥驱动和其它电机控制方案。
• 消费类电子: 如智能手机、平板电脑、图像传感器等，确保产品在便携性与高效能之间取得良好平衡。
• 汽车电子: 由于其宽广的工作温度和高耐压特性，STR2N2VH5能够在汽车的各种电子系统中稳定工作，如电池管理系统和动力分配。
• 工业控制系统: 能够适应工业环境中的多变条件，适合用于各类传感器、执行器及控制电路。

封装与安装

STR2N2VH5采用SOT-23封装，这是一个三引脚的表面贴装封装形式，具有小型化优点，能够节省板级空间。安装简便，适合自动化生产线的贴装工艺，同时也易于在较小的PCB设计中使用。

结论

综上所述，STR2N2VH5是一款具备高效率、低功耗和良好热管理能力的N通道MOSFET，适合广泛应用于现代电子产品与系统中。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子，STR2N2VH5都能以其卓越的性能满足设计师的需求。 ST（意法半导体）作为供应商，确保了产品的高质量，同时也为客户提供了可靠的技术支持与服务。对于寻求高性能MOSFET解决方案的电子设计师而言，选择STR2N2VH5毫无疑问是一个明智的决策。