FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1145pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
STP9NK65Z 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高功率应用而设计,具备高效率和可靠性。它的额定漏源电压(Vdss)为650V,允许其在多种电力电子应用中运行,尤其适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。搭载意法半导体的尖端技术,该 MOSFET 提供了优异的热管理性能和高导通电流,最大连续漏极电流(Id)达到6.4A,适应于严苛的工作环境。
电气特性:
栅极特性:
电容特性:
功耗与温度:
封装信息:
STP9NK65Z MOSFET 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
STP9NK65Z 的优势在于其高电压、高电流承受能力和良好的热管理设计。相较于传统的开关元件,其在开关速度、效率和系统集成度方面具有突出的表现。此 MOSFET 能够运行于更高的功率密度,降低整体电路的体积,同时改善能效,使其成为现代电力电子应用中不可或缺的材料选择。
综合来看,STP9NK65Z 凭借其卓越的电气特性、广泛的应用适用性和可靠的性能表现,成为市场上首选的高压 N 通道 MOSFET 之一。无论是在制造高效的电源系统还是在改善工业设备的能效方面,它都提供了一个强有力的解决方案。对于开发人员和工程师而言,STP9NK65Z 不仅在设计和开发阶段提供了灵活性,还在最终产品中给予了消费者良好的性能体验。