STP5N62K3
STP5N62K3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 620V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 680pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP5N62K3手册
STP5N62K3概述
STP5N62K3 产品概述
引言
STP5N62K3是一款高性能的N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由著名半导体制造商意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于实现高效的功率转换和开关控制，广泛应用于电源管理、逆变器、LED驱动以及电机控制等领域。
主要特性
高耐压: STP5N62K3具有620V的漏源电压（Vdss），使其适用于高电压应用，能够有效应对电源电压波动及瞬态过电压。
较低的导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下，该MOSFET在2.1A的漏电流下具有最大导通电阻（Rds On）为1.6欧姆的优越性能，这使得器件在工作中能显著降低功耗，提高效率。
广泛的电流范围: 该器件的连续漏极电流（Id）为4.2A（在25°C时），使其能够适应多种应用场景下的电流需求，提供灵活的解决方案。
低栅极阈值电压: Vgs(th)的最大阈值电压为4.5V，这为驱动电路设计提供了方便，有助于更灵活地实现 MOSFET 的开关控制。
温度性能优越: 尽管其工作温度范围广泛，介于-55°C至150°C之间，但STP5N62K3依然能够在高温环境下稳定运行，适用于严苛工作条件的工业和汽车应用。
小型封装与散热能力: 采用TO-220-3封装，STP5N62K3不仅便于安装，还具有良好的散热性能，可承受最高70W的功率耗散。这种封装设计使得器件在使用中保持较低的工作温度，有效延长使用寿命。
电容特性: 最大输入电容（Ciss）为680pF（在50V条件下），低输入电容有助于提高开关速度，降低开关损耗，为高频应用提供支持。
应用场景
STP5N62K3由于其良好的电气性能与高耐压值，适合应用于以下领域：
- 电源供应: 作为开关元件，在开关电源、反向电源转换及其他电源管理设备中提供高效转换和可靠控制。
- 电动机控制: 用于PWM（脉宽调制）控制电机的场合，实现精确的速度和转矩调节。
- 逆变器: 在大功率逆变器中，STP5N62K3可用作开关组件，有效转换直流电源为交流电源，适合太阳能逆变器及其他可再生能源应用。
- LED驱动: 用于高效驱动LED灯具，确保亮度均匀且具有较高的工作效率。
结论
STP5N62K3是一个兼具高效能和高可靠性的MOSFET器件，适用于各种高电压和高电流应用领域。其出色的电气特性以及宽工作温度范围，使其在工业、汽车以及消费类电子产品中广受欢迎。随着电子行业对高效能器件需求的不断增长，STP5N62K3无疑为设计工程师提供了可靠而灵活的解决方案，助力各类电子产品实现更高功率密度和更优能源管理。