FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 6.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA(最小) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3525pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 100W(Tc) | 工作温度 | 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
STL60P4LLF6 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 P 通道 MOSFET,适用于各种高功率和高效率的电子应用。该 MOSFET 在设计上能够满足对功率、电流控制和热管理的严格要求,使其成为电子电路中不可或缺的元器件之一。这款 MOSFET 采用 PowerFlat™(5x6)封装,便于表面贴装,可以有效地节省空间同时提供良好的散热性能。
STL60P4LLF6 MOSFET 的设计使其广泛适用于多个领域,包括但不限于:
STL60P4LLF6 作为一款出色的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的应用领域和高效散热设计,是电子工程师在设计高效能电源管理系统和电机控制解决方案时的首选元件。其高功率处理能力和高效率确保了广泛的适用性,适合用于消费电子、工业自动化以及电动汽车等多个领域。由于使用了先进的材料和优化的结构,该 MOSFET 亦在现代电子产品中展示了卓越的性能和可靠性。