STL110N10F7
STL110N10F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 107A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5117pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
STL110N10F7手册
STL110N10F7概述
STL110N10F7 产品概述
概述
STL110N10F7 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应管 (MOSFET)，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。凭借其优秀的电气特性和高可靠性，该器件广泛应用于各类电力电子领域，包括开关电源、马达驱动以及其他高频、高效能的电力转换系统。
主要特性
漏源电压 (Vdss): STL110N10F7 的最大漏源电压为 100V，使其适用于各种中等电压的应用。这一参数保证了器件在高电压环境下的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下，器件可承载高达 107A 的连续漏极电流（在适当的散热条件下获取），使其具备了出色的负载能力，能够满足高功率应用的需求。
导通电阻 (Rds(on)): STL110N10F7 在 Vgs = 10V、Id = 10A 的情况下，最大导通电阻仅为 6 毫欧。低导通电阻有助于降低功耗，改善效率，减小发热量。
阈值电压 (Vgs(th)): 当栅极-源极电压 Vgs 达到最大 4.5V 时，漏极电流可达到 250µA。这一特性为器件的驱动设计提供了灵活性，可适应多种控制电路。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 72nC (在 10V 下)，这使得 STL110N10F7 具备较好的开关速度。较低的栅极电荷值有助于降低驱动电路的功耗，提升整体系统效率，适合高频开关应用。
最大工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适合于高温环境下的应用，确保器件在极端条件下的可靠性。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散能力为 136W（Tc），在良好的散热设计下，能够很好地管理热量，提升整体性能和寿命。
封装与安装
STL110N10F7 采用了 PowerFlat™（5x6mm）封装，具有优良的热管理和空间效率。表面贴装型的设计简化了PCB布局与组装过程，适用于高密度的电路设计。此外，使用封装内的优秀散热特性可以减少散热器的需求，进一步节省空间。
应用场景
STL110N10F7 MOSFET 适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源: 在 AC-DC 和 DC-DC 转换中发挥关键作用，提高能效和稳定性。
- 电机驱动: 用于无刷直流电机（BLDC）及步进电机的驱动控制，提升系统性能。
- LED 驱动: 广泛应用于LED驱动电源中，保证高效稳定的工作状态。
- 汽车应用: 在汽车电子中，作为电源开关，保证电动车辆或传统汽车中的动力传输效率。
结论
STL110N10F7 作为一款高性能 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，是电力电子工程师们选择的理想元件。通过结合其高电流承载能力、低导通电阻、良好的热特性和能力，STL110N10F7 不仅提高了设计效率，也满足了日益增长的高效能电源系统的需求。在未来智能电源与自动化应用的推动下，这款 MOSFET 无疑将继续在电力电子市场上发挥重要作用。