安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60A |
栅极电荷 | 149nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,30A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 383µJ(开),293µJ(关) |
测试条件 | 400V,30A,10 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 260W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 37ns/146ns | 反向恢复时间 (trr) | 53ns |
STGB30H60DFB 是由意法半导体(STMicroelectronics)开发的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其额定电压为600V,最大工作电流为60A,适用于多种高功率应用,如逆变器、电动机驱动、电源管理和高频变换设备等。这款 IGBT 的设计充分考虑了高效能、低开关损失和广泛的工作温度范围,使其成为现代电力电子系统中理想的关键元器件。
STGB30H60DFB IGBT非常适合于以下几类应用:
STGB30H60DFB 提供 D2PAK 封装,这种封装形式能够有效散热,有为设备的高功率处理提供了良好的热管理能力。此外,D2PAK 封装也便于在自动化生产过程中实现高效装配,进而提升生产性能。
总体而言,STGB30H60DFB IGBT 以其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和出色的开关效率,成为现代高功率电力电子系统中的一款理想选择。其在电动机驱动、逆变器和开关电源领域的应用有助于实现更高的能效和更低的损耗,为企业和用户提供了可靠的解决方案。无论在工业、商业还是消费类电子产品中,STGB30H60DFB 都将为提升其性能和效率发挥重要作用。