STF7N105K5
STF7N105K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1050V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF7N105K5手册
STF7N105K5概述
STF7N105K5 产品概述
STF7N105K5 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其拥有一系列杰出的电气特性，非常适合在高压和高功率应用中使用。该器件特别设计用于满足严苛的工业和消费电子应用需求，能够在广泛的工作温度范围内稳定运行。
核心参数解析
漏源电压（Vdss）: 标称值为 1050V，使其能够承受高电压负载，适用于变频器、开关电源、LED 驱动和其他各类高压电路。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，最大连续漏极电流为 4A，这使得 STF7N105K5 在中等功率应用中表现出色。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 为 10V 时，最大导通电阻为 2Ω（在 Id 为 2A 时），这确保了在工作状态下的能效，减少了功率损失和发热，提升了整体系统的性能。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 5V @ 100µA，便于与低压驱动电路相匹配，增加了设计灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时的最大栅极电荷为 17nC，这意味着在开关操作时可以实现较快的响应速度和更低的开关损耗，适用于高频应用。
输入电容（Ciss）: 在不同的 Vds 下，其最大输入电容为 380pF @ 100V，有助于减小输入信号的失真，保证信号传输的完整性。
功率耗散（Pmax）: 最大功率耗散为 25W，确保器件在高负载下仍然保持较低的温度，以避免过热损坏。
工作温度范围: STF7N105K5 提供了-55°C 至 150°C 的宽广工作温度范围，使其在极端条件下也能可靠运行。
封装形式: 采用 TO-220FP 封装，便于散热且能与多种安装方式兼容，维护和替换相对简单，广泛应用于各种电力电子设备。
应用场景
STF7N105K5 MOSFET 的设计特性使其非常适合于以下应用领域：
开关电源（SMPS）: 在高压电源中作为开关器件，提升系统的能效与稳定性。
变频器: 在交流电机驱动中，STF7N105K5 可用于串联或并联配置，提高输出功率并减少损耗。
电力模块和逆变器: 用于可再生能源系统，如光伏逆变器和风能转化系统。
LED 驱动电路: 在驱动高功率 LED 灯时提供高效能，高电压、高电流的支持。
高频开关电路: 由于较低的开关损耗与良好的电气特性，该 MOSFET 也适用于高频开关电路。
总结
整体来看，STF7N105K5 是一款高可靠性、易于使用的 N 通道 MOSFET，其优越的电气性能和坚固的设计理念使其能够应对各种复杂的电力电子应用。无论是在工业设备、消费电子产品还是在严苛的环境下，STF7N105K5 都能为设计工程师提供良好的性能保障，成为现代电力电子设备的重要组成部分。通过其出色的特性和广阔的应用潜力，STF7N105K5 无疑是一种值得信赖的选择。