FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 525V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA | Vgs(最大值) | ±30V |
功率耗散(最大值) | 70W(Tc) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
STD6N52K3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。其采用 DPAK 封装,具有优异的电气性能和热性能,广泛应用于多种电子产品和电力电子设备中,如开关电源、逆变器、电动机驱动和其他高电压、高功率电路。
基本电气参数
电压和电流规格
环境和热性能
STD6N52K3 广泛应用于以下领域:
开关电源(Switching Power Supplies)
由于其高电压和高功率性能,STD6N52K3 是高效开关电源设计的理想选择,能够实现更小体积和更高效率的电源解决方案。
电动机驱动器(Motor Drivers)
该 MOSFET 能够有效控制电动机的启停和速度调节,适用于家电、工业自动化及新能源汽车领域。
逆变器(Inverters)
STD6N52K3 可以在逆变器中用作主开关,占据关键角色,能够实现将直流电转换为交流电,广泛应用于可再生能源系统如太阳能发电。
高频开关电路(High Frequency Switching Circuits)
由于其低导通电阻和快速响应特性,使其在高频开关应用中表现出色。
STD6N52K3 N 通道 MOSFET 以其高电压、高功率和优良的导电性能在多种应用中突显出独特的优势。其高可靠性与优异的热性能使得该器件成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。这款 MOSFET 不仅适用于工业技术,更为个人电子产品提供了可靠的解决方案,被广泛应用于开关电源、电动机驱动和逆变器等多个领域。选择 STD6N52K3,您能够自信地推动技术进步,满足现代电子设计中对高效能和高可靠性的需求。