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SQ2325ES-T1_GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3W 150V 840mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
644(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.58按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.58
--
100+
￥1.27
--
750+
￥1.13
--
1500+
￥1.07
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SQ2325ES-T1_GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 840mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.77 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236（SOT-23） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SQ2325ES-T1_GE3手册
无数据
SQ2325ES-T1_GE3概述
SQ2325ES-T1_GE3 产品概述
产品简介
SQ2325ES-T1_GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为严苛环境和高可靠性应用而设计。它的漏源电压（Vdss）可达 150V，最大可连续漏极电流（Id）为 840mA，结合其坚固的封装和宽广的工作温度范围，使得 SQ2325ES-T1_GE3 在电源管理、电机驱动及开关电路等各类应用场景中展现出优异的性能。
主要参数
- 类型和技术: SQ2325ES-T1_GE3 是一种 P 通道 MOSFET，采用金属氧化物半导体技术，确保了其高效率和快速开关能力。
- 电气特性:
- 漏源电压（Vdss）: 150V，适合高电压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 840mA（Tc = 25°C），在许多应用中可提供可靠的电流驱动。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 500mA 和 10V 驱动下，其最大导通电阻为 1.77Ω，保证在开关状态下的低损耗。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 3.5V，在达到该值后设备可有效开启。
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 下最大栅极电荷为 10nC，提供快速开关特性，适合高频操作。
- 输入电容（Ciss）: 在 50V 下最大输入电容为 250pF，确保高效信号传输和响应。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 3W，支持较高的热管理能力。
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C，适用于高温和极端环境应用。
封装和安装
SQ2325ES-T1_GE3 采用 SOT-23-3 表面贴装型封装，这种紧凑型设计适合高密度电路板布局。其小巧的封装有助于提升表面贴装设备的可靠性，同时在空间有限的应用中展现灵活性。
应用领域
SQ2325ES-T1_GE3 适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在电源开关、电压调节器及转换器等场合中，提供高效的开关控制。
- 电机控制: 用于驱动直流电机和步进电机，能够有效调节电流，改善电机效率。
- 信号开关: 广泛应用于音频和视频信号切换中，确保信号的完整性和低损耗。
- 汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围，适合在严酷的汽车环境中使用。
结论
总之，SQ2325ES-T1_GE3 是一款多功能、高性能的 P 通道 MOSFET，适合多种高压和高频应用。凭借其卓越的电气特性和坚固的封装设计，它为现代电子设备提供了理想的解决方案。无论是在工业自动化、消费电子，还是汽车电子领域，SQ2325ES-T1_GE3 都能胜任，且长时间稳定工作，从而提升最终设备的可靠性和性能。选择 SQ2325ES-T1_GE3，意味着选择卓越的质量和价值，适合追求高性能的应用工程师和设计人员。