SPW55N80C3FKSA1
SPW55N80C3FKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 54.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 32.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 3.3mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 288nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7520pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 500W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SPW55N80C3FKSA1手册
SPW55N80C3FKSA1概述
SPW55N80C3FKSA1 产品概述
产品简介
SPW55N80C3FKSA1 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N通道MOSFET，属于CoolMOS™系列的第三代产品 - C3系列。其主要特点是具备高耐压、高电流承受能力以及优越的开关特性，是现代电子设计中不可或缺的关键组件，广泛应用于各种高效能电源转换、逆变器和其他要求高功率密度的电气设备中。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 800V
- 连续漏极电流（Id，25°C时）: 54.9A（在Tc下）
- 导通电阻（Rds On）: 最大值为85毫欧（在10V的Vgs和32.6A的Id条件下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值3.9V（在3.3mA的条件下）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为288nC（在10V的Vgs下）
- 输入电容（Ciss）: 最大值7520pF（在100V时）
- 功率耗散: 最高可达500W（在Tc下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: TO-247-3
产品特点
高电压与高电流承受能力： SPW55N80C3FKSA1 的800V漏源电压和54.9A的连续漏极电流，确保在严苛的工作条件下，依然能够高效稳定地运行。这些特性使得该MOSFET在高压电源和中高压驱动电路中表现出色。
低导通电阻： 本器件的最大Rds On为85毫欧，极大程度上降低了功率损耗，提高了转换效率，特别适合于开关电源和逆变器应用。较低的导通电阻还意味着在正常运行条件下，器件的发热量更少，有助于系统的散热管理。
优越的开关特性： SPW55N80C3FKSA1 的栅极电荷（Qg）为288nC，这意味着在高频开关应用中，它能够提供较低的开关损耗，适合于高效的PWM调制技术。这一特性尤其在DC-DC转换器、逆变器等应用场合表现突出。
宽广的工作温度范围： 产品的温度工作范围为-55°C至150°C，保障其在极端温度环境下的稳定性。这种特性对于工业设备、汽车电子及军事应用等领域非常重要，能够确保器件长期可靠运行。
典型封装： TO-247-3封装确保了良好的散热性能，使得该芯片可在高功率应用中长期工作而不易过热。此外，通孔安装方式的设计使得该元件易于在PCB板上布线和维护。
应用领域
SPW55N80C3FKSA1 可以应用于多种高功率电子设备中，主要包括：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器及驱动电路
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电器
- 伺服电机驱动
- 工业电力管理系统
总结
SPW55N80C3FKSA1 N通道MOSFET以其卓越的电流承载能力、低导通电阻、高速开关能力和宽温度适应性，成为高效能源转换与电力管理系统的重要组成部分。作为英飞凌CoolMOS™ C3系列的一部分，它不仅继承了前几代产品的优良特性，还在性能和效率上做出了显著的提升，适合于多种苛刻的电子应用场合，为设计工程师提供了更加灵活与高效的解决方案。