SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 177nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2320pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SPW17N80C3FKSA1手册
SPW17N80C3FKSA1概述
SPW17N80C3FKSA1 产品概述
SPW17N80C3FKSA1是一款高性能N通道MOSFET（场效应管），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该器件具有卓越的电气特性和耐用性，适用于多个应用场景，尤其是在需要高电压和高电流的环境中。
主要规格
- 类型: N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 800V
- 25°C时电流 - 连续漏极（Id）: 17A（Tc）
- 驱动电压: 最大Rds On为10V，最小Rds On同样为10V
- 导通电阻（Rds On）: 在11A和10V下，最大值为290毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 1mA时最大值为3.9V
- 栅极电荷（Qg）: 在10V下最大值为177nC
- 最大栅极-源极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 在25V下最大值为2320pF
- 功率耗散（Pd）: 最大值为227W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-247-3
- 安装类型: 通孔
应用场景
SPW17N80C3FKSA1因其卓越的耐高压能力和较高的连续漏极电流，适用于许多高性能应用，包括但不限于：
开关电源：在开关电源（SMPS）中，能够承受高达800V的电压，支持高频开关，提高系统的效率与可靠性。
电机驱动：在工业电机驱动和控制系统中，该MOSFET的高电流能力和低导通电阻特性，能够有效降低电流损耗，提高能量转换效率。
太阳能逆变器：由于此器件的高耐压特性，它特别适用于太阳能逆变器等应用，能够在严苛的环境下稳定运行。
电力电子变换器：在各种电力电子应用中，如DC-DC和DC-AC变换器，它能够提供高效的开关操作，优化系统设计。
设计优势
低导通电阻与高效率：其290毫欧的导通电阻使得在工作期间可以显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。
宽广的工作温度范围：SPW17N80C3FKSA1的工作温度范围从-55°C到150°C，使其非常适合在各种苛刻条件下的工业应用。
大功率处理能力：227W的最大功率耗散为设计工程师提供了灵活性，能够在高功率应用中充分利用该器件的特性。
优越的开关特性：快速的栅极充电和放电能力帮助实现快速开关，大大提高了频率响应，适应高频操作。
可靠性与稳定性：作为英飞凌推出的产品，其设计和制造过程经过严格控制，确保产品在各种操作条件下的稳定性与可靠性。
总结
总的来说，SPW17N80C3FKSA1是一款高度集成、高效能、可靠的N通道MOSFET，适合用于多种高性能应用。它结合了高电压和电流能力、低导通电阻、宽温度范围及良好的开关特性，将推动现代功率电子设备的发展。选择SPW17N80C3FKSA1，能够为设计工程师在优化系统性能和提高能效方面提供强大的支持。