功率(Pd) | 400mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 142mΩ@2.5V,2.0A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@2.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
CJ2301 是一种高性能的 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),其主要用于在较低功率场合下的开关与线性电路。该元器件专为电子产品设计,适合应用于多种电子电路中,如电源管理、负载开关以及信号放大等。CJ2301 的额定功率为 400mW,最大漏源电压为 20V,能够提供高达 2.3A 的漏电流,足以应对大多数消费类电子设备的需求。
CJ2301 采用 SOT-23 封装,这是一种广泛使用的表面贴装封装形式,因其体积小、引脚间距均匀而易于进行自动化焊接,非常适合现代电子设备的小型化需求。该产品由江苏长电(CJ)公司生产,CJ 是中国知名的半导体制造商,专注于提供各类高品质的电子元器件。
P 沟道 MOSFET 的工作原理基于电场效应,通过在栅极施加一个负电压来控制源极和漏极之间的电流流动。当栅极电压低于源极电压时,MOSFET 导通,形成一个低阻抗通道;而当栅极电压与源极电压接近时,器件逐渐关断,省电效果显著。这样的特性使得 CJ2301 在电源切换和调节中具有优势,同时也在较高频率下表现出较好的开关特性。
CJ2301 的优异性能使其适用于多种应用场景:
在使用 CJ2301 时,需要注意以下几点:
总之,CJ2301 以其出色的特性和稳定的性能,成为 P 沟道场效应晶体管中的优秀选择。适用于多种电子应用,在设计与实现电源管理和负载控制时,可以帮助工程师们实现高效的电路设计和优化。无论是消费电子、工业控制,还是通信领域,CJ2301 都能为客户提供可靠的解决方案。