BVSS84LT1G
BVSS84LT1G参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36pF @ 5V |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BVSS84LT1G手册
BVSS84LT1G概述
BVSS84LT1G 产品概述
概述
BVSS84LT1G是一款高性能P通道MOSFET，主要用于各种电子电路中的开关和放大应用。该器件由安森美（ON Semiconductor）制造，具有出色的电流控制能力和低导通电阻，适合用于电源管理、负载开关、信号调理以及其它需要高效率和小尺寸组件的应用。
主要技术参数
FET类型: P通道
技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
漏源电压 (Vdss): 50V
最大连续漏极电流 (Id): 130mA@25°C
导通电压 (Vgs): 驱动电压为5V时的最小和最大Rds On，分别为10Ω @ 100mA。
漏极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为2V @ 250µA。
栅极电荷 (Qg): 在10V时，栅极电荷最大值为2.2nC，表明其在快速开关的操作中低电流消耗。
输入电容 (Ciss): 最大值为36pF @ 5V，适合高频应用。
功率耗散: 最大值为225mW @ 25°C，确保器件在高负载条件下的稳定性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C，表明其具备优良的环境适应性。
封装特性
BVSS84LT1G采用SOT-23-3封装，这是一种广泛使用的表面贴装器件封装类型。其小巧尺寸使得该MOSFET非常适合空间紧张的电路设计。此外，SOT-23封装的轻量特性也使得它易于处理和安装，适合自动化制造过程。
应用场景
BVSS84LT1G MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理: 在电源转换器和适配器中用作开关，能够以高效的方式控制电源的开闭。
负载开关: 适用于需要高效率和小体积的负载控制，如便携式设备和消费电子产品。
信号调理: 在音频和视频信号的处理应用中，BVSS84LT1G能够提供良好的线性放大功能。
自动化与机器人技术: 适用于指令显著变化的控制电路，确保能快速响应控制信号。
性能优势
BVSS84LT1G的性能优势主要体现在以下几个方面：
- 低导通电阻: 10Ω的最大导通电阻使得其在导通状态时能显著减少功耗，提升能效。
- 宽工作温度范围: -55°C至150°C的工作温度范围确保该器件能够在极端环境下可靠运行，适应多种工业和消费领域的需求。
- 低栅极电荷和输入电容: 使其在高频率下的响应更快，从而提高整体电路的性能和效率。
结论
BVSS84LT1G是一款高效、可靠的P通道MOSFET，凭借其卓越的技术参数和多元化的应用场景，已成为许多电子设计工程师的首选。无论是在电源管理、负载控制，还是在信号调理等领域，它都能为设计提供稳定的支持。通过将BVSS84LT1G引入您的电子设计中，您将能够提高产品的整体性能，进而提升市场竞争力。