FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19.5nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1231pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 62W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33 |
概述
BUK7M10-40EX 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能N通道MOSFET,专用于各种应用场合的功率管理与开关电路。该器件具备出色的电气特性和可靠的工作性能,适应广泛的工业和消费电子需求,尤其是在电力转换、马达控制和LED驱动等领域表现出色。
主要技术参数
功率和工作条件
该MOSFET支持的最大功率耗散为62W(Tc),适合热管理合理的设计。其工作温度范围覆盖-55°C至175°C,显示出其在极端温度条件下的可靠性,适用于汽车电子、工业设备及航空航天等高要求环境。
应用场景
BUK7M10-40EX的优势使其成为多个应用场景的理想选择:
总结
综上所述,BUK7M10-40EX是一款非常出色的N通道MOSFET,以其高效能、低功耗和宽工作温度范围,为广大电子设计师和工程师提供了强有力的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是智能电网应用中,其可用性和性能都得到了充分的证明。购买和应用BUK7M10-40EX,将使产品设计更加高效、可靠且具有竞争力。