SMUN5313DW1T1G
SMUN5313DW1T1G参数
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 187mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
SMUN5313DW1T1G手册
SMUN5313DW1T1G概述
产品概述：SMUN5313DW1T1G
一、产品简介
SMUN5313DW1T1G 是一款高性能数字晶体管，集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，采用预偏压设计，特别适用于各种数字电路和开关应用。这款产品由安森美（ON Semiconductor）制造，特点是体积小巧、功耗低，符合现代电子设备对于高集成度和功能多样化的需求。SMUN5313DW1T1G 封装采用 6 引脚的 SC-88、SC70-6 或 SOT-363，非常适合于面向手持设备和空间受限的应用场景。
二、关键参数
晶体管类型：该器件包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管，能够实现双向流通，从而支持多种功能。
集电极电流 (Ic)：最大100mA 的集电极电流，确保其在较大负载下的稳定性和可靠性。
集射极击穿电压 (Vceo)：具有50V的最大击穿电压，提供了宽广的应用范围，适合各种电源电压条件下的操作。
直流电流增益 (hFE)：在5mA，10V的工作条件下，最低 DC 电流增益为80。这一增益特性使得该器件在放大信号时功能更为出色，适合用于模拟信号处理。
饱和电压 (Vce(sat))：在300µA，10mA的条件下，饱和压降最大为250mV，表明其在开关状态下保持低功耗，减少发热量，有助于提高电路的整体效率。
截止电流 (Ic(off))：最大截止电流为500nA，表明该器件在关闭状态时具有极低的漏电流，有助于延长电池寿命和提高电路的稳定性。
功率额定值：该产品的最大功率为187mW，适用于功率比较小的应用场景。
三、应用场景
SMUN5313DW1T1G 广泛应用于以下领域：
- 消费电子：如手机、平板电脑、数码相机等手持设备中，可用于开关控制、信号放大等。
- 存储设备：在固态硬盘（SSD）及其他存储解决方案中，支持信号的快速切换与处理。
- 电源管理：在电源供应管理系统中，负责开关电源的控制，确保稳定的电力分配。
- 工业应用：在传感器和自动化设备中进行数据采集和信号处理。
- 汽车电子：用于车载设备的各类传感器、控制单元中，提高智能化程度。
四、封装及安装方式
SMUN5313DW1T1G 采用表面贴装型设计，具有较低的安装高度，便于在小型空间内实现高密度的功能集成。其 SC-88/SC70-6/SOT-363 封装形式能够与现代印刷电路板（PCB）设计相适应，有助于实现更紧凑的电路布局。
五、总结
总的来说，SMUN5313DW1T1G 是一款设计精良、性能可靠的数字晶体管，适用于多种电子应用。在未来的电子产品设计中，其广泛的工作参数范围和小巧的封装将使其成为许多应用场景中的理想选择。由于其出色的电气特性，SMUN5313DW1T1G 不仅能够提高最终产品的整体性能，还能在满足功耗需求的同时支持日益发展的小型化电子设备。选择 SMUN5313DW1T1G，可以为您的设计提供强大的功能和可靠性保障。