SMBTA42E6327HTSA1 产品实物图片
SMBTA42E6327HTSA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SMBTA42E6327HTSA1

商品编码: BM0058414018
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NPN Silicon High-Voltage Transistors
库存 :
500(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.386925
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.386925
--
200+
¥0.38324
--
1500+
¥0.38324
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SMBTA42E6327HTSA1参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)300V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值360mW频率 - 跃迁70MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

SMBTA42E6327HTSA1手册

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SMBTA42E6327HTSA1概述

产品概述:SMBTA42E6327HTSA1

SMBTA42E6327HTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)出品的高电压 NPN 硅晶体管,广泛应用于各种电子电路中。其独特设计使其能够在高电压和高温环境下稳定运行,非常适合于功率控制、开关应用和放大器用途。

1. 基本参数

SMBTA42E6327HTSA1 的主要特点包括:

  • 晶体管类型:NPN,适用于多种增强模式应用。
  • 集电极电流 (Ic):最大可达 500mA,适合需要中等电流流动的场合。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大为 300V,能承受较高的电压,因此被广泛应用于电源管理和高电压开关电路。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 2mA 和 20mA 电流下,最大饱和压降为 500mV,显示出优秀的导电性能,降低了能量损耗。
  • 截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,保证了在关闭状态下的极低漏电流。
  • 直流电流增益 (hFE):在 30mA,10V 的条件下,最小值为 40,表明其具有良好的放大性能。
  • 功率处理能力:最大功率为 360mW,非常适合用于需要较高功率处理的电路设计。
  • 跃迁频率:高达 70MHz,使其在高频信号处理方面表现突出,适合用于射频电路等应用。
  • 工作温度:最高工作温度为 150°C,确保了其在高温环境中的可靠性和稳定性。
  • 封装:采用 SOT-23-3 表面贴装封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,便于在现代紧凑型电子电路中应用。

2. 应用场景

SMBTA42E6327HTSA1 的特性使其非常适合以下几种应用场景:

  • 开关电源:其高电压和高电流特性使其成为高效开关电源设计中不可或缺的组件,特别是在 AC/DC 转换器中。
  • 马达驱动:可以用作马达驱动电路中的开关器件,帮助控制马达的启动、停机及调速。
  • 线性放大器:在音频放大器和信号处理电路中,通过其较高的增益提供清晰的信号放大效果。
  • 信号开关:在射频应用中,可以用作信号开关或开关模块中,提高抗干扰能力。

3. 性能优势

与市场上的其他同类产品相比,SMBTA42E6327HTSA1 具有一系列的性能优势:

  • 高效率:由于其低的饱和压降,SMBTA42E6327HTSA1 能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。
  • 宽电压范围:能够支持高达 300V 的集射极击穿电压,使得它在高电压应用中表现卓越,拓宽了应用领域。
  • 高工作温度:在更高的工作温度下依然能够保持性能稳定,满足工业和汽车等场合的严格要求。
  • 便于集成设计:其 SOT-23-3 封装使其非常适合现代高密度电路的集成,满足紧凑设计的需求。

4. 结论

总体而言,SMBTA42E6327HTSA1 是一款具有高性能和广泛应用前景的 NPN 硅晶体管,特别适合需要高电压、高效率及宽温度范围的各种电子应用。无论是在电源管理、马达控制,还是在通信和信号处理领域,SMBTA42E6327HTSA1 都能够提供稳定且可靠的解决方案。选择此款晶体管,将为电子设计师带来更多创新可能性。