BSS223PWH6327XTSA1
BSS223PWH6327XTSA1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 390mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1.5µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .62nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 56pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT323-3 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS223PWH6327XTSA1手册
BSS223PWH6327XTSA1概述
产品概述：BSS223PWH6327XTSA1 P沟道MOSFET
BSS223PWH6327XTSA1是一款高性能的P沟道MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。作为一款金属氧化物场效应管，这款元器件在现代电子设计中以其卓越的效率和可靠性脱颖而出。下面将从其主要特性、技术参数和应用场景等方面进行详细阐述。
主要特性
高效能：BSS223PWH6327XTSA1具有出色的电流承载能力，连续漏极电流最高可达390mA（Ta=25°C），适用于需要高电流处理的场合。
低导通电阻：该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds On）最大值为1.2Ω，能够有效降低开关损耗，提升系统效率。
宽工作温度范围：BSS223PWH6327XTSA1支持的工作温度范围在-55°C至150°C之间，能够在各种环境条件下稳定工作，适合绝大多数工业和消费电子应用。
小型封装：该元件采用PG-SOT323-3封装，符合表面贴装技术（SMD）的要求，具有小型化、轻量化的特点，适合高密度集成的电路应用。
优良的电气特性：在不同的Id和Vgs条件下，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，这意味着该元件在相对较低的电压下即可有效导通，为设计提供了更大的灵活性。
技术参数
- FET类型：P通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：390mA（25°C）
- 导通电阻（Rds On）：最高1.2Ω @ 390mA, 4.5V
- 栅极驱动电压：2.5V至4.5V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大1.2V @ 1.5µA
- 栅极电荷（Qg）：最大0.62nC @ 4.5V
- 最大栅极源极电压（Vgs）：±12V
- 输入电容（Ciss）：最大56pF @ 15V
- 功率耗散：最大250mW（Ta）
- 工作温度：-55°C至150°C
- 封装：PG-SOT323-3
应用场景
BSS223PWH6327XTSA1因其优越的性能，在广泛的应用领域中展现出卓越的价值：
电源管理：在电源开关、DC-DC转换器和电池管理系统中，能够有效控制电流流向，提升供电的效率。
信号开关：在音频和视频设备中，BSS223PWH6327XTSA1可用作信号开关，以实现快速的开关切换并确保信号质量。
驱动电路：可用于驱动各种负载，如电机、继电器及LED等，满足不同功率需求，特别是在小型电子设备和便携式应用中表现尤为出色。
汽车电子：由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，该MOSFET常被应用于汽车电子控制单元（ECU）和车载功率模块中，保证系统的稳定运行。
消费电子：在个人电子产品如智能手机、平板电脑及其他数码设备中，也有着广泛的应用场景，为提升产品性能和用户体验提供支持。
总结
BSS223PWH6327XTSA1是一款性能优越、应用广泛的P沟道MOSFET，凭借其小型封装和高效能，满足现代电子产品对高效能、高可靠性及小型化的需求。无论是在工业、自动化还是消费电子领域，这款元器件都能发挥其重要作用。