BSS138LT3G
BSS138LT3G参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 200mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS138LT3G手册
BSS138LT3G概述
BSS138LT3G 产品概述
概览
BSS138LT3G 是一种高性能、低功耗的 N 通道 MOSFET（场效应管），由安森美（ON Semiconductor）制造。该器件专为需要较高开关速度和良好电流控制的应用场景设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式设备、以及其他需要节能高效性能的电子产品。其采用 SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装技术（SMT），便于大规模生产和集成。
关键电气参数
漏源电压 (Vdss): BSS138LT3G 具有最大 50V 的漏源电压，适用于多种电源管理和信号开关应用。高漏源电压确保在各种工作条件下的可靠性。
连续漏极电流 (Id): 器件可以承受最大 200mA 的连续漏极电流（在 25°C 时），确保其在高负荷条件下依旧稳定工作。
导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 5V 的条件下，BSS138LT3G 的最大导通电阻为 3.5Ω，这在一定程度上降低了功率损耗，提高了效率。
阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 1.5V@1mA，有利于在低电压信号下实现快速开关，从而提升设计灵活性。
输入电容 (Ciss): 在 25V 下，其输入电容的最大值为 50pF，这使得器件在高频应用中具有良好的性能，能够快速响应输入信号。
功率耗散 (Pd): 在 25°C 的环境下，BSS138LT3G 的最大功率耗散达 225mW，适合在要求较小功率损耗的应用场景中使用。
工作条件与特性
BSS138LT3G 的工作温度范围广，能够在 -55°C 至 +150°C 的环境中稳定运行。这使得该 MOSFET 在极端环境下的電子应用中表现出色，如汽车电子、航空航天设备和工业控制系统。
该器件采用表面贴装型设计，使其在电路板的空间利用上达到最优化，非常适合现代小型化、高密度布局的趋势。此外，封装选用 SOT-23-3（TO-236）形式，使设备的散热效率和生产效率达到较高水平。
应用场景
BSS138LT3G 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 用于开关电源和电流控制电路，能够实现高效的能量转化。
- 电信设备: 在信号切换、调制解调器和其他通信模块中起到至关重要作用。
- 消费电子: 像智能手机、平板电脑等便携式设备中用于电源开关、负载驱动等功能。
- 传感器接口: MOSFET 的灵活性使其能够作为低电流信号的开关，有助于实现传感器与处理器间的无缝连接。
结论
综上所述，BSS138LT3G 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，具有适合多种应用的电气特性和良好的工作温度范围。其低功耗、高速度和广泛的适用性使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在便携设备、工业控制还是通信系统中，BSS138LT3G 都是实现高性能和高能效的理想选择。