BSP316PH6327XTSA1
BSP316PH6327XTSA1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 680mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 170µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 146pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP316PH6327XTSA1手册
BSP316PH6327XTSA1概述
BSP316PH6327XTSA1 产品概述
产品名称: BSP316PH6327XTSA1
类型: P 通道 MOSFET
封装: SOT-223
在现代电子设计中，MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）是一种关键的电子元器件，广泛应用于开关电源、驱动电路和信号放大等多种领域。BSP316PH6327XTSA1是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能P通道MOSFET，专为高效率和低功耗应用而设计。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的额定漏源电压为100V，这使得其能够在高电压环境中稳定工作，适用于如电源管理和工业控制等对电压有较高要求的应用场合。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的工作环境下，BSP316PH6327XTSA1能够承受680mA的连续漏极电流，显示了其良好的电流承载能力。这一特性使其适用于驱动较大负载的场合，如电动机驱动和灯具控制等。
导通电阻 (Rds On): 在10V的栅极驱动电压下，通过测试可以获得其导通电阻最大值为1.8Ω。这一低导通电阻值可确保在导通状态时的能量损耗较低，从而提高整体电路的效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅极阈值电压最大为2V @ 170µA。这意味着在较低的栅极电压下，即可实现导通，适用于需要快速切换和低电压驱动的应用场景。
栅极电荷 (Qg): 在10V的栅极驱动下，栅极电荷最大为6.4nC。这一参数对于高速开关应用非常重要，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度，降低切换损耗。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，可满足在极端环境下的稳定性需求，适合于汽车及工业设备等复杂环境的应用。
封装与安装
BSP316PH6327XTSA1采用SOT-223封装，具有小型化、轻量化的特点，有助于节省电路板空间。表面贴装型的设计使得其在现代电子产品中具有更好的工艺兼容性，便于实现高密度的PCB设计。
应用领域
BSP316PH6327XTSA1的特性使其在多个应用领域中表现优异：
- 电源管理: 适用于DC-DC转换器和稳压电源中，提供高效率的开关性能。
- 电动机驱动: 在小型电动机和步进电机驱动电路中，能够有效控制电机的启停和速度调节。
- 负载开关: 可用于控制灯具以及各种负载的电源切换，提高电路的智能化和自动化水平。
- 信号放大: 在模拟信号处理领域，能够作为开关放大器使用，支持音视频信号的整形与转换。
结论
BSP316PH6327XTSA1是一款功能强大的P通道MOSFET，凭借其高漏源电压、优良的导通电阻、广泛的工作温度范围和小型化封装设计，使其在各类电子应用中展现了出色的性能。无论是在电源管理、电动机控制还是信号放大方面，它都能够充分发挥其优势，为现代电子产品的高效运作提供可靠保障。作为英飞凌的高品质产品，BSP316PH6327XTSA1无疑是设计师在选择MOSFET时的理想选择。