BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 950mA，530mA | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 47pF @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.34nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1.6µA |
BSD235CH6327XTSA1手册
BSD235CH6327XTSA1概述
BSD235CH6327XTSA1 产品概述
引言
在现代电子设备中，功率控制和开关性能已成为设计的重要组成部分。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其优越的性能和广泛的应用场景，已成为众多电子元器件中不可或缺的一部分。BSD235CH6327XTSA1是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能MOSFET阵列，属于N沟道和P沟道类型，在低功耗和高效率的应用中表现卓越。
基本参数
BSD235CH6327XTSA1是一款表面贴装型MOSFET，封装采用SOT-363，适合于高密度的PCB设计。其具有多项显著的电气性能，适用于逻辑电平控制，特别是在数字电路和功率转换中。
导通电阻（Rds(on）：当在4.5V的栅源电压下，导通电阻最大值为350毫欧，这使得其在电流950mA下表现出优良的导通性能。
漏极电流（Id）：该器件支持最高950mA（N沟道）和530mA（P沟道）的连续漏极电流，大大提高了其在实际应用中的灵活性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在1.6µA的漏电流时，栅极阈值电压最大值为1.2V，满足逻辑电平驱动的要求，使得其在低电平逻辑电路中的适用性更广。
输入电容（Ciss）：在10V下，输入电容最大值为47pF，这一低电容特性使其在快速开关应用中表现优秀。
栅极电荷（Qg）：在4.5V下，最大栅极电荷为0.34nC，表明其在驱动上也具有较低的功耗，从而提高电路的整体效率。
工作温度范围：BSD235CH6327XTSA1的工作温度范围为-55°C到150°C（TJ），这使得该元件能够在极端条件下稳定运行，适用于汽车、航空航天等要求严格的环境。
功率处理能力：该MOSFET具有500mW的最大功率处理能力，能够在多种应用场景中提供有效的功率管理。
应用场景
BSD235CH6327XTSA1特别适用于以下场景：
- 电源管理：在电池供电的设备中，使用其低导通电阻特性以降低功耗，延长电池使用寿命。
- 开关电源：适用于DC-DC转换器中，作为开关元件，实现高效的能量转换。
- 逻辑电平控制：在数字电路中，用于逻辑信号的开关和控制，适合于微控制器、单片机等领域的应用。
- 小型电机驱动：即使在高负载情况下，该MOSFET也能提供稳定的性能，是驱动小型电机（如风扇和泵）的理想选择。
总结
总的来说，BSD235CH6327XTSA1是一款功能齐全、高性能的MOSFET阵列，具备了低功耗、高效率和宽工作温度范围的优良特性。这一产品的推出，丰富了英飞凌在MOSFET领域的产品线，为设计工程师提供了更多的设计自由度和灵活性。无论是在电源管理、逻辑控制还是驱动应用中，BSD235CH6327XTSA1都是一个理想的选择，能为现代电子产品的设计与性能提升做出贡献。