BSC010N04LS 产品实物图片
BSC010N04LS 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSC010N04LS

商品编码: BM0058413315
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
-
重量 : 
0.147g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 38A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
500(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.66
按整 :
卷(1卷有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.66
--
100+
¥3.88
--
1250+
¥3.88
--
2500+
¥3.88
--
5000+
¥3.88
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC010N04LS参数

功率(Pd)139W反向传输电容(Crss@Vds)320pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)95nC
漏源电压(Vdss)40V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)9.52nF@20V连续漏极电流(Id)247A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

BSC010N04LS手册

BSC010N04LS概述

产品概述:BSC010N04LS (N沟道MOSFET)

一、产品简介

BSC010N04LS 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款 N 沟道场效应管 (MOSFET),具有良好的性能和多种应用潜力。该器件封装为 PG-TDSON-8,尺寸为 5x6 mm,适合于空间有限的应用环境。其额定功率为 2.5 W,最大工作电压为 40 V,且具备高达 38 A 的漏电流能力,使其在高电流密度的应用中非常出色。

二、主要特性

  1. 高电流和低导通电阻:该MOSFET具有优异的导电性能,其在低栅电压下仍能实现低导通电阻(R_DS(on)),这使得其在高效率开关模式下表现卓越。低导通电阻意味着能量损失小,有助于提高系统整体效率。

  2. 宽工作电压范围:BSC010N04LS 最大发挥的工作电压可达到 40 V,适用于多种中等电压电源管理应用,确保其可运用在多种设备上。

  3. 高负载能力:通过额定的漏电流值可知,BSC010N04LS 的负载能力高,这使其适合于需要高电流的应用环境,如电机驱动、电源转换器等。

  4. 低门极驱动要求:该 MOSFET 的门极阈值电压较低,使其能够与小型驱动电路兼容,简化了设计复杂性并减少了所需的驱动功耗。

  5. 高开关频率:由于其快速的开关特性,BSC010N04LS 能够在高频率应用中高效运行,适应快速变化的电流需求。

三、应用领域

基于其独特的性能,BSC010N04LS 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理

    • 适用于 DC-DC 转换器、高效的电源开关和电池管理系统,能够帮助降低电源损耗,提高系统稳定性和效率。
  2. 电机控制

    • 该 MOSFET 可用于电机驱动的 H 桥配置,支持无刷直流电机和步进电机的高效控制,实现紧凑型设计。
  3. 消费电子产品

    • 由于其小尺寸、低功耗特性,BSC010N04LS 非常适合用在笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品的功率管理中。
  4. 电池供电设备

    • 在电池管理系统中,MOSFET 可用于实现均衡、充放电等功能,提高能量使用效率。
  5. 可再生能源系统

    • 例如,太阳能逆变器、风能发电设备等,BSC010N04LS 的高效率特性有助于实现更高的能源转换率。

四、总结

总体而言,BSC010N04LS 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用英飞凌的领先技术和高质量标准,结合其高电流承载能力、低导通电阻和高开关频率,广泛适用于电源管理、电机控制、消费电子及可再生能源等多个领域。无论是在高效能还是高可靠性的设计要求下,该 MOSFET 都能提供可靠的解决方案,为用户创造价值。针对现代电子产品对能效提升和功率密度的不断追求,BSC010N04LS 无疑是一个值得选用的优质元器件。