BLM21AG102SN1D
BLM21AG102SN1D参数
| 高度（最大值） | 0.041"（1.05mm） | 不同频率时阻抗 | 1 kOhms @ 100MHz |
| DC 电阻 (DCR)（最大值） | 280 毫欧 | 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 额定电流（最大） | 500mA | 大小 / 尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 线路数 | 1 |
BLM21AG102SN1D手册
BLM21AG102SN1D概述
产品概述：BLM21AG102SN1D 磁珠
一、基本信息
BLM21AG102SN1D 是由知名电子元器件制造商村田（muRata）生产的一款高性能的磁珠。这款产品采用0805封装，适用于表面贴装技术（SMD），并提供优良的电磁干扰（EMI）抑制性能。其关键参数包括：
- 阻抗: 1 kΩ @ 100 MHz
- 直流电阻（DCR）: 最大280 mΩ
- 额定电流: 最大600 mA
- 工作温度范围: -55°C ~ 125°C
- 尺寸: 2.00 mm x 1.25 mm x 1.05 mm（长 x 宽 x 高）
- 线路数: 1
二、功能及应用
BLM21AG102SN1D 磁珠的主要功能是用于抑制高频噪声以及改善电源和信号的完整性。在现代电子设备中，随着高速数字电路和无线通信设备的普及，电磁干扰（EMI）问题日益严重。磁珠通过对电路中不需要的高频信号提供高阻抗，来有效过滤这些干扰信号，确保信号的清晰度和稳定性。
这款磁珠广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
- 无线通信设备：如手机、平板电脑、Wi-Fi 路由器等
- 消费电子：如电视机、音响设备和游戏机
- 工业控制系统：用于确保仪器设备的稳定工作
- 汽车电子：在车载电子模块中实现EMI抑制
- 数据通信设备：如交换机、路由器等需要高效信号传输的设备
三、产品特点与优势
高阻抗特性：BLM21AG102SN1D 提供1 kΩ 的高阻抗，特别是在100 MHz的频率下，能够有效地抑制高频噪声，有助于提升信号质量。
极低的直流电阻：最大280 mΩ的直流电阻（DCR）确保了较低的功耗和热损失，使其在高电流工作时保持良好的性能。同时，600 mA的额定电流保证了即便在高负载情况下也能维持稳定的工作状态。
宽广的工作温度范围：BLM21AG102SN1D 的工作温度范围从-55°C 到 125°C，确保了在恶劣环境下的可靠性能。这使其成为应用于工业、汽车等领域的理想选择，能够适应各种极端工作条件。
小尺寸与轻量化设计：0805封装的设计使得这款磁珠在空间受限的应用场合中也能轻松集成，满足现代电子设备对小型化和轻量化的趋势。
四、选择 BLMT21AG102SN1D 的理由
在选择EMI抑制元件时，BLM21AG102SN1D因其卓越的性能和稳定性，是一种值得考虑的选择。它结合了高频率下的有效阻抗、多样化的应用场景、低功耗及良好的温度适应性，能够为设计人员在产品开发和优化中提供可靠的解决方案。
五、总结
作为一款高性能磁珠，BLM21AG102SN1D 不仅在电子应用中表现出色，还具备了高度的可靠性和灵活性，能满足各种复杂电路的需求。在当今电子产品日益向高频、高速发展的趋势下，BLM21AG102SN1D 是提升产品性能和稳定性的理想选择，助力广泛的应用实现更卓越的性能与效能。无论是用于EMI抑制还是信号线路的整理，它都能够为设计师提供有效的技术支持。