IRLR3103TRPBF
IRLR3103TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 107W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR3103TRPBF手册
IRLR3103TRPBF概述
产品概述：IRLR3103TRPBF N通道MOSFET
一、基本信息
IRLR3103TRPBF是一款具有高性能的N通道MOSFET，由Infineon（英飞凌）公司生产。该器件采用TO-252-3（D-Pak）封装，特别适合在空间有限的应用中使用。其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和宽温度范围，使其在各种电源管理、开关电源及其他功率应用中表现出色。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为30V，这使其适合用于低至中等电压的电力应用，能够承受瞬态电压且保持性能稳定。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的条件下，IRLR3103TRPBF能够承载高达55A的连续漏极电流，显示出其强大的电流处理能力。
导通电阻（Rds(on)）: 在Vgs=10V和Id=33A时，其导通电阻的最大值为19mΩ。低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高系统整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的阈值电压最大值为1V（@ 250µA），这使得IRLR3103TRPBF适用于需要低驱动电压的应用场合。
栅极电荷（Qg）: 在Vgs=4.5V时的栅极电荷为50nC，表明在开关过程中该器件的驱动需求较小，能够有效提高开关速率，降低驱动功耗。
工作温度和功率耗散: IRLR3103TRPBF可在-55°C至175°C的温度范围内正常工作，这使得它在高温或极端环境下也能保持稳定性能。最大功率耗散为107W（@ Tc），保证了在高负载条件下的安全运行。
三、应用领域
由于其出色的性能和耐用性，IRLR3103TRPBF MOSFET广泛应用于以下几个领域：
电源管理: 可用于开关电源、直流-直流转换器和电池管理系统中，以提高能效和系统稳定性。
电机驱动: 在电动机驱动应用中，该器件可作为开关元件，提供高效的功率转换，满足现代电机对快速开关和低损耗的需求。
LED驱动: 该MOSFET可优雅地控制LED的开关和亮度，适合用于LED照明系统中。
电能转换器: 适合用于各种电能转换器，包括便携式设备、消费电子产品等。
四、选择理由
选择IRLR3103TRPBF的理由主要包括：
- 高可靠性: 作为英飞凌的一款优质MOSFET，其高温工作范围和优秀的功率特性使其在恶劣环境下依然可靠。
- 高效能: 出色的导通电阻和快速开关特性使它成为各类功率转换的理想选择，能够有效降低热损耗。
- 灵活性: 其广泛的应用范围及良好的兼容性使其在多种系统中表现出色，提升设计灵活性。
五、总结
总之，IRLR3103TRPBF是一种具有优异性能的N通道MOSFET，特别适合高电流和低开关损耗的应用。其广泛的工作温度范围和高功率处理能力使其成为现代电力电子应用中一个不可或缺的选择。不论是在电源管理，电机驱动，还是LED照明等领域，IRLR3103TRPBF都能提供有效、可靠的解决方案。选择IRLR3103TRPBF，您将获得性能出众、应用范围广泛的电源开关元件。