FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 557A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.65 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 307nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 19680pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 416W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB |
IRL40SC228是一款高度集成的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。该器件采用表面贴装型封装,符合行业标准的D2PAK(TO-263-7),适用于各种高功率和高频率的电力电子应用。其卓越的性能使其成为电源管理、电动机驱动和开关控制等领域的理想选择。
高漏源电压 (Vdss): IRL40SC228具有40V的漏源电压规格,能够满足多种负载条件下的电源需求,使其适合于工业电源和汽车电子应用。
高持续漏极电流 (Id): 在25°C的情况下,IRL40SC228的连续漏极电流可达557A,表明该器件能够处理大电流并适应高功率条件。
低导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下,IRL40SC228的最高导通电阻(Rds(on))仅为0.65毫欧(mΩ),这对于降低功耗、提高效率以及减少热损耗至关重要。
良好的栅极电压特性: 该产品的最小阈值电压(Vgs(th))为2.4V,适于低电压驱动应用,提升了系统的响应速度。
广泛的工作温度范围: IRL40SC228的工作温度范围为-55°C至175°C,使其在极端环境下仍能稳定工作,适用于热要求较高的应用场景。
高功率耗散能力: 最大功率耗散为416W,确保在高功率使用情况下依然能够安全稳定运行,适合例如电机驱动和大功率开关等领域。
高输入电容: 在25V下,其输入电容(Ciss)最大值为19680pF,确保在高频操作中保持良好的开关速度。
IRL40SC228采用D2PAK-7封装,具备良好的散热性能和电磁干扰抗性。表面贴装型的设计简化了与PCB的连接,适合高密度电路板的电气布局。
IRL40SC228是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻及出色的工作温度范围,能够满足多种严格应用的需求。随着电力电子技术的发展,IRL40SC228作为高效能功率开关的代表,正在逐步成为多种工业及消费电子应用中不可或缺的组件。无论是在电源管理、电动机控制还是在可再生能源系统中,IRL40SC228都表现出较强的适用性和可靠性。