IRL40SC228 产品实物图片
IRL40SC228 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRL40SC228

商品编码: BM0058411284
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-7(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 416W 40V 360A 1个N沟道 D2PAK-7
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
15.8
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥15.8
--
100+
¥14.1
--
800+
¥13.56
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRL40SC228参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)557A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.65 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)307nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)19680pF @ 25V
功率耗散(最大值)416W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB

IRL40SC228手册

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IRL40SC228概述

IRL40SC228 产品概述

产品简介

IRL40SC228是一款高度集成的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。该器件采用表面贴装型封装,符合行业标准的D2PAK(TO-263-7),适用于各种高功率和高频率的电力电子应用。其卓越的性能使其成为电源管理、电动机驱动和开关控制等领域的理想选择。

关键特性

  1. 高漏源电压 (Vdss): IRL40SC228具有40V的漏源电压规格,能够满足多种负载条件下的电源需求,使其适合于工业电源和汽车电子应用。

  2. 高持续漏极电流 (Id): 在25°C的情况下,IRL40SC228的连续漏极电流可达557A,表明该器件能够处理大电流并适应高功率条件。

  3. 低导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下,IRL40SC228的最高导通电阻(Rds(on))仅为0.65毫欧(mΩ),这对于降低功耗、提高效率以及减少热损耗至关重要。

  4. 良好的栅极电压特性: 该产品的最小阈值电压(Vgs(th))为2.4V,适于低电压驱动应用,提升了系统的响应速度。

  5. 广泛的工作温度范围: IRL40SC228的工作温度范围为-55°C至175°C,使其在极端环境下仍能稳定工作,适用于热要求较高的应用场景。

  6. 高功率耗散能力: 最大功率耗散为416W,确保在高功率使用情况下依然能够安全稳定运行,适合例如电机驱动和大功率开关等领域。

  7. 高输入电容: 在25V下,其输入电容(Ciss)最大值为19680pF,确保在高频操作中保持良好的开关速度。

应用场景

  • 电源管理: IRL40SC228可用作DC-DC转换器、Buck转换器和Boost转换器的开关,从而优化电能转换效率。
  • 电动汽车: 在电动车辆的电动机驱动系统中,该MOSFET能够快速响应电力需求,提升电机驱动的控制精度和能效。
  • 工业自动化: 该器件在电机控制和电源开关系统中,能够满足工业环境中对高性能、高可靠性的需求。
  • 可再生能源: 在风能和太阳能发电系统中,IRL40SC228可作为逆变器和能量管理系统中的关键开关元件。

封装及安装

IRL40SC228采用D2PAK-7封装,具备良好的散热性能和电磁干扰抗性。表面贴装型的设计简化了与PCB的连接,适合高密度电路板的电气布局。

总结

IRL40SC228是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻及出色的工作温度范围,能够满足多种严格应用的需求。随着电力电子技术的发展,IRL40SC228作为高效能功率开关的代表,正在逐步成为多种工业及消费电子应用中不可或缺的组件。无论是在电源管理、电动机控制还是在可再生能源系统中,IRL40SC228都表现出较强的适用性和可靠性。