FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 115 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 640pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 79W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK(TO-251) |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
产品描述
IRFU3910PBF 是一款高性能 N 通道增强型 MOSFET,专为各种功率电子应用而设计。其出色的电气特性使其适用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关的电路。封装形式为 TO-251 (IPAK),适合通孔安装,便于在多种电路板上进行应用。
技术参数
IRFU3910PBF 具备以下主要技术参数:
应用领域
因其卓越的性能,IRFU3910PBF 广泛应用于以下场合:
设计优势
IRFU3910PBF 的设计理念注重高性能与可靠性,主要优势包括:
总结
IRFU3910PBF 是一款适应性强的 N 通道 MOSFET,集成了高效率、可靠性和安装便利性于一身,适用于众多现代电子电路设计。凭借其卓越的电流和电压特性,它成为了电源管理和驱动应用中的关键元器件。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,IRFU3910PBF 都是优秀的选择,值得设计工程师信赖与广泛应用。