IRFU3910PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFU3910PBF

商品编码: BM0058411263
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-251AA(IPAK)
包装 : 
管装
重量 : 
1.057g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 79W 100V 16A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
2284(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.97
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.97
--
100+
¥2.38
--
750+
¥2.12
--
1500+
¥2
--
3000+
¥1.91
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFU3910PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)115 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)44nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)640pF @ 25V
功率耗散(最大值)79W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装IPAK(TO-251)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

IRFU3910PBF手册

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IRFU3910PBF概述

IRFU3910PBF 产品概述

产品描述

IRFU3910PBF 是一款高性能 N 通道增强型 MOSFET,专为各种功率电子应用而设计。其出色的电气特性使其适用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关的电路。封装形式为 TO-251 (IPAK),适合通孔安装,便于在多种电路板上进行应用。

技术参数

IRFU3910PBF 具备以下主要技术参数:

  • 漏源电压 (Vdss): 最高可承受 100V,适用于中到高压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下可持续提供 16A 的电流,具有良好的电源承载能力。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs = 10V 时,最大导通电阻为 115 毫欧,确保低损耗和高效率。
  • 输入电容 (Ciss): 在 Vds = 25V 时,输入电容为 640pF,适合高速开关应用。
  • 栅极源电压 (Vgs): 最高可承受 ±20V,为栅极驱动提供灵活性。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs = 10V 时,最大栅极电荷为 44nC,意味着在高频操作中其转换损失较低。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V,使得该 MOSFET 在低电压驱动条件下也能有效工作。
  • 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散能力为 79W,适合高功率的应用场景。
  • 工作温度范围: 适用于 -55°C 至 175°C 的广泛工作温度,使其能够在极端环境下稳定运行。

应用领域

因其卓越的性能,IRFU3910PBF 广泛应用于以下场合:

  1. 电源管理: 在开关电源 (SMPS) 中用作开关元件,提供高效的电源转换。
  2. 电机驱动: 适用于各种电动机控制、电动助力转向装置等,提供可靠的开关控制。
  3. 直流变换器: 适合 DC-DC 转换器设计,提高能量转换效率。
  4. 照明控制: 在 LED 照明驱动电路中,保证光源稳定驱动,提高能效。
  5. 蓄电池管理: 在电池充放电管理中,提供有效的电流控制和保护。

设计优势

IRFU3910PBF 的设计理念注重高性能与可靠性,主要优势包括:

  • 低导通电阻: 通过减少搅动损耗和热量产生,提升整体能效。
  • 宽工作温度范围: 使其适合于各种恶劣的应用环境,确保长时间稳定运行。
  • 高功率处理能力: 让设计师能够在对功率要求较高的应用中放心使用,避免过热风险。
  • 易于驱动: 其较低的栅极电荷使得驱动信号简单,大大降低了控制电路的复杂度。

总结

IRFU3910PBF 是一款适应性强的 N 通道 MOSFET,集成了高效率、可靠性和安装便利性于一身,适用于众多现代电子电路设计。凭借其卓越的电流和电压特性,它成为了电源管理和驱动应用中的关键元器件。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,IRFU3910PBF 都是优秀的选择,值得设计工程师信赖与广泛应用。