注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFL4315TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.8W 150V 2.6A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
65(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
2.87按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.87
--
100+
￥2.2
--
1250+
￥1.92
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFL4315TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 420pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRFL4315TRPBF手册
无数据
IRFL4315TRPBF概述
产品概述：IRFL4315TRPBF
1. 简介： IRFL4315TRPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由知名半导体制造企业英飞凌（Infineon）生产。这款 MOSFET 采用 SOT-223 封装，能够在高达 150V 的漏源电压（Vdss）下运行，适合于各种需要高电压和中等电流的应用场合。它具有优异的导通性能和低开关损耗，广泛应用于电源管理、马达驱动和其他电力电子设备中。
2. 技术参数：
- FET 类型： N 通道
- 技术： MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）： 150V
- 25°C 连续漏极电流 (Id)： 2.6A
- 最大驱动电压： 10V (用于最小 Rds On)
- 导通电阻（Rds On）： 最大值为 185 毫欧 @ 1.6A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th))： 最大值为 5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)： 最大值为 19nC @ 10V
- 栅源电压最大值： ±30V
- 输入电容 (Ciss)： 最大值为 420pF @ 25V
- 功率耗散： 最大值为 2.8W
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
- 封装类型： SOT-223
3. 应用场合： IRFL4315TRPBF 的多样化性能使其适用于多种应用场合，包括：
- 开关电源： 其高电压容忍度和低导通电阻使其在开关电源设计中表现出色，可以有效降低开关损耗，提升转换效率。
- 电机驱动： 在电机驱动应用中，它能够承受瞬态电压变化，使得电机启动和停止时的性能更加可靠。
- 电池管理： 在电子设备和电动汽车的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制充电和放电过程，确保系统的稳定与安全。
- 功率放大器： 由于其高效率和热管理能力，它也可用于无线电频率放大器中，有助于提升信号强度和回收效率。
4. 优势和特点： IRFL4315TRPBF 的主要优势包括：
- 高效能： 具有极低的导通电阻（Rds On），进而削弱了功率损耗，提高了系统的能效。
- 宽工作温度范围： 从 -55°C 到 150°C 的工作温度范围使其适用于各种苛刻的环境。
- 小型封装： SOT-223 的封装设计有助于节省电路板空间，适合于体积紧凑的电子设备。
- 良好的散热性能： 功率耗散能力高达 2.8W，使得在高负载情况下能够有效散热，延长器件的使用寿命。
5. 结论： IRFL4315TRPBF 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电压和电流特性、低导通电阻及广泛的应用范围，可以满足现代电子产品对功率管理的需求。这款 MOSFET 不仅在电源管理和马达控制中显示出卓越的性能，还能在高温和高压环境下保持工作稳定性。因此，对于设计工程师和电子产品开发者而言，IRFL4315TRPBF 是推动高效能和高可靠性设计的不二选择。