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IRFIBE20GPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; Idm: 5.6A; 30W; TO220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.14按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.14
--
100+
￥6.06
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFIBE20GPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 欧姆 @ 840mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 530pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
IRFIBE20GPBF手册
无数据
IRFIBE20GPBF概述
产品概述：IRFIBE20GPBF N-Channel MOSFET
1. 概述 IRFIBE20GPBF 是一款经过精心设计的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。作为高压和高效率的开关器件，这款 MOSFET 是电力电子应用中不可或缺的组件，常用于电源管理、逆变器、电动车驱动及其他高压控制应用等。
2. 关键参数
- 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 连续漏极电流（Id）：1.4A（在工作温度为 Tc 时）
- 最大脉冲电流（Idm）：5.6A
- 驱动电压：10V（确保 Rds On 最小化）
- 最大导通电阻（Rds On）：6.5Ω（在 Id=840mA、Vgs=10V 时）
- 门阈电压（Vgs(th)）：最大值 4V（在 Id=250µA 时）
- 栅极电荷（Qg）：最大值 38nC（在 Vgs=10V 时）
- 最大输入电容（Ciss）：530pF（在 Vds=25V 时）
- 功率耗散（Pd）：30W（在 Tc 时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：TO-220-3，全封装，隔离接片
3. 性能特点 IRFIBE20GPBF 采用了先进的 MOSFET 设计，结合高效能的材料和工艺，实现了550V至800V的高电压操作能力，使之在高电源应用中表现卓越。它的低导通电阻不仅减少了导电损耗，而其广泛的温度范围保证了在不同环境下的稳定性和可靠性。此器件特别适用于需要高效能与高可靠性的场合，如开关电源、DC-DC 转换器及电机驱动电路。
4. 应用领域
- 电源管理：IrFIBE20GPBF 可以用于多种电源转换器设计，提供优越的效率和功率密度，帮助提升整体系统的性能。
- 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器、风能发电和其他可再生能源系统。
- 电动车驱动：作为电动车和混合动力车的关键组件，提供高效的电力传输和控制。
- 工业自动化：在诸如电机驱动、伺服控制等工业领域，有助于提升生产效率和能耗管理。
5. 安装与设计 IRFIBE20GPBF 采用 TO-220-3 封装形式，便于通过通孔技术安装。由于其较高的功率耗散能力，设计工程师可以通过优良的热管理方案确保器件在高负载下的稳定运行。此外，其最大栅极驱动电压的灵活性使得用户能够在不同的驱动电路中使用该器件，确保高效开关操作。
6. 结论 IRFIBE20GPBF 是高压应用中的理想选择，凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，具有良好的市场前景和应用潜力。VISHAY 提供的这一 MOSFET 能够满足现代电子设备对性能、效率和可靠性的高要求，为电子设计工程师提供稳定且高效的解决方案，是推动各类电力电子应用的重要组成部分。无论是在消费电子、工业设备还是新能源设备中，IRFIBE20GPBF 都以其强大的功能和广泛的适用性，成为设计工程师首选的高性能开关元件。