IRF7905TRPBF
IRF7905TRPBF参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.8A，8.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21.8 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7905TRPBF手册
IRF7905TRPBF概述
产品概述：IRF7905TRPBF
一、引言
IRF7905TRPBF是一款高性能N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。该器件由全球知名的半导体制造商Infineon（英飞凌）提供，具有卓越的电气特性和可靠性，适合各种电子电器设备。此MOSFET以其较低的导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。
二、基本参数
- 类型：N通道（双）
- 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：7.8A（25°C），可以达到8.9A
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值为21.8毫欧（在7.8A，Vgs=10V的条件下）
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.25V（在25µA下）
- 栅极电荷（Qg）：最大值为6.9nC（在4.5V下）
- 输入电容（Ciss）：最大值为600pF（在15V条件下）
- 功率最大值：2W
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
- 封装类型：SO-8表面贴装型，具有8个引脚，尺寸为0.154”宽（3.90mm）。
三、性能特点
IRF7905TRPBF具备多项优越性能，使其在众多电子应用中表现突出。
低导通电阻：其最大导通电阻仅为21.8毫欧，使得在工作时能有效降低功耗，提升效率，特别适合高电流应用。
宽电流范围：具有7.8A的连续漏极电流，满足多种高负载电流的需求。同时，最大可承载8.9A，为工程师提供了更多的灵活性。
快速响应：高栅极电荷保证了MOSFET能够快速开关，降低了信号延迟，适合高速开关电路。
高耐压性能：漏源电压高达30V，能够适应较高的电源电压，提升了器件的适用范围。
宽工作温度范围：IRF7905TRPBF的工作温度可在-55°C至150°C之间，适合恶劣环境下工作，保证了长期的稳定性和可靠性。
四、应用领域
IRF7905TRPBF的应用领域广泛，主要包括但不限于：
DC-DC转换器：由于其低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效的直流-直流转换器，提高了能源转换效率。
电机驱动：在电动机控制和驱动电路中，此器件能够稳定控制电流，有效驱动各种类型的电机。
开关电源：能在开关电源中发挥重要作用，降低功耗，同时提高系统的稳定性。
充电与电池管理系统：用于电池的充放电控制，尤其是在电动汽车和可再生能源存储系统中。
逻辑电平转换器：在边缘设备与微控制器之间做电平转换，提供安全、可靠的信号传输。
五、总结
IRF7905TRPBF是一款具有优秀电气性能的N沟道MOSFET，适合多种高效能应用。其低导通电阻、宽电流适用范围和高温度工作能力使其成为设计工程师们的优选器件。通过其卓越的性能，IRF7905TRPBF能够在多个领域满足现代电子产品对效率、可靠性和稳定性的需求，是推进电子技术进步的重要元件之一。无论是在电源管理、开关控制还是信号转换，IRF7905TRPBF都将发挥关键作用，助力各种创新应用。