FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.8V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.5 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 62nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3640pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
IRF7456TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有优异的电气特性和广泛的应用场合。该器件由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产,封装形式为经济紧凑的 SO-8 表面贴装型,专为低电压和高电流应用设计,广泛用于开关电源、马达驱动和电源管理电路。
IRF7456TRPBF 由于其优秀的电气特性,非常适合于多种应用场景,包括但不限于:
采用 IRF7456TRPBF 的设计不仅能够增加电路的效率,同时还有助于减小电路的尺寸。SO-8 封装的设计使得该器件在有限的空间内提供高效能,因此在紧凑的电子设备中尤为合适。高导电性与低导通电阻使得设备在高频开关操作下产生的热量较少,延长了电子设备的使用寿命及稳定性。
综上所述,IRF7456TRPBF 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET,具备多种优越的特性,适用于多个行业和应用领域。其出色的电流承载能力、热管理能力以及广泛的工作温度范围,使其成为设计工程师在选择适合其电路设计需求时的理想之选。在未来的电子产品设计中,IRF7456TRPBF 都将继续发挥其独特的价值和作用。