IRF7456TRPBF 产品实物图片
IRF7456TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7456TRPBF

商品编码: BM0058411212
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.275g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 16A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.6
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.6
--
100+
¥3.83
--
1000+
¥3.55
--
2000+
¥3.38
--
4000+
¥3.22
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7456TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.8V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)62nC @ 5V
Vgs(最大值)±12V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3640pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

IRF7456TRPBF手册

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IRF7456TRPBF概述

IRF7456TRPBF 产品概述

1. 产品简介

IRF7456TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有优异的电气特性和广泛的应用场合。该器件由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产,封装形式为经济紧凑的 SO-8 表面贴装型,专为低电压和高电流应用设计,广泛用于开关电源、马达驱动和电源管理电路。

2. 关键参数

  • 漏源电压(Vdss):20V,这使得 IRF7456TRPBF 适合应用于低电压的电源管理和开关电路。
  • 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境温度下,可达到 16A,极大地提高了其在高负载情况下的使用能力。
  • 驱动电压:该 MOSFET 的最佳工作驱动电压为 2.8V 至 10V,在此电压范围内能够实现较低的导通电阻。
  • 导通电阻(Rds(on)):最大导通电阻为 6.5 毫欧,确保在工作时具有较低的功耗和热量生成。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为 2V @ 250µA,使得 IRF7456TRPBF 在较低的栅电压下可迅速开启,适合快速开关应用。
  • 输入电容(Ciss):最大值为 3640pF @ 15V,表明其具有良好的高速开关性能。
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,极大的工作温度范围使得该器件可以在严苛的工业和汽车环境中运行。
  • 功率耗散能力:最大功率耗散为 2.5W,在适当散热条件下可以保持稳定的工作状态。

3. 应用领域

IRF7456TRPBF 由于其优秀的电气特性,非常适合于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源:该 MOSFET 常用于开关电源(SMPS)中,作为开关元件提供高效的能量转换和传输。
  • 马达驱动:在 DC 电机控制单元中,IRF7456TRPBF 能有效控制马达的启停和调速。
  • 电源管理:在各种电子设备的电源管理模块中,控制电流的开关和转换,无论是适配器还是其他电源电路,均能找到其身影。
  • 电动汽车和混合动力汽车:可在电池管理系统中有效控制电流,改善能量利用效率。

4. 设计与应用优势

采用 IRF7456TRPBF 的设计不仅能够增加电路的效率,同时还有助于减小电路的尺寸。SO-8 封装的设计使得该器件在有限的空间内提供高效能,因此在紧凑的电子设备中尤为合适。高导电性与低导通电阻使得设备在高频开关操作下产生的热量较少,延长了电子设备的使用寿命及稳定性。

5. 结论

综上所述,IRF7456TRPBF 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET,具备多种优越的特性,适用于多个行业和应用领域。其出色的电流承载能力、热管理能力以及广泛的工作温度范围,使其成为设计工程师在选择适合其电路设计需求时的理想之选。在未来的电子产品设计中,IRF7456TRPBF 都将继续发挥其独特的价值和作用。