制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 550 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±30V |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1030pF @ 25V |
基本产品编号 | IRF740 |
IRF740APBF 是由Vishay Siliconix制造的一款高性能N通道MOSFET(场效应管),广泛应用于高功率和高电压的电子电路中。其设计旨在满足严苛的电源管理需求,适合用于开关电源、DC-DC转换器和大功率驱动电路。IRF740APBF 以其出色的电流承载能力和低导通电阻,已成为电力电子领域的一个重要器件。
IRF740APBF 的结构基于金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术,这使得它在电气特性上表现出色。其低导通电阻的特性减少了在高电流条件下的功率损耗,提高了电路的整体效率。与此同时,400V的高漏源电压使其能够处理高电压应用,而其10A的连续漏极电流能力则能满足大部分工业和消费电子应用的需求。
由于IRF740APBF 拥有优异的电气性能,它得到了广泛的应用,包括但不限于:
IRF740APBF 采用TO-220AB封装,适合通孔安装,允许用户方便地在PCB板上进行安装。在高功率应用中,良好的散热管理至关重要。建议使用适当的散热器来充分利用其最大功率耗散能力和保护器件的长期稳定性。
IRF740APBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET,它凭借出色的电流承载能力、低导通电阻和高耐压性能,成为电子设计师和工程师在电力电子领域的重要选择。无论是在开关电源、DC-DC转换器还是电机控制中,IRF740APBF都能够提供可靠的性能,为各种电气设备的高效运行提供了支持。 逐渐成为电源转换、驱动和控制系统中的重要器件。