IRF100B202

产品概述：IRF100B202 N通道MOSFET

一、产品概述

IRF100B202是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为要求高电流和高电压的应用而设计。其可靠性和高效能使其成为各种电源管理和开关应用中的理想选择。该器件的额定漏源电压为100V，最大连续漏极电流为97A，在极端工作环境下依然能保持卓越性能。

二、关键规格

• FET类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 连续漏极电流 (Id @ 25°C)：97A（Tc）
• 驱动电压（Vgs）：最大Rds On：10V，最小Rds On：10V
• 导通电阻（Rds(on)）：在58A和10V条件下，最大值为8.6毫欧；
• 阈值电压（Vgs(th)）：在150µA时的最大值为4V；
• 栅极电荷（Qg）：在10V驱动下最大为116nC；
• 最大栅源电压（Vgs）：±20V；
• 输入电容 (Ciss)：在50V时最大值为4476pF；
• 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为221W（Tc）；
• 工作温度范围：-55°C至175°C（TJ）；
• 安装类型：通孔
• 封装类型：TO-220AB

三、应用场景

IRF100B202广泛应用于需要高效率和高功率的场合，如：

1. 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器中提供高效的开关性能。
2. 电机驱动：用于各种电机驱动应用中，如伺服电机和步进电机，确保高效能和快速响应。
3. 工业控制：在工业自动化和控制系统中，作为开关元件支持高电流和高电压的应用。
4. 汽车电子：适用于汽车中的各类电子控制单元及电力转换模块。
5. 高温环境应用：其宽广的工作温度范围使其非常适合需要高可靠性的高温环境应用。

四、性能特点

1. 低导通电阻：8.6毫欧的导通电阻能够显著降低功耗，提高系统整体效率，尤其在大电流应用中表现突出。
2. 高功率处理能力：221W的最大功率散热能力，使该器件能够在苛刻条件下稳定工作，提升系统的可靠性。
3. 宽工作温度范围：-55°C至175°C的工作温度范围保证了在多种极端环境下均能可靠运行，适合军事、航空航天及深海应用。
4. 良好的切换性能：较低的栅极电荷（116nC）有助于减少驱动功耗，为高频开关提供更快的响应时间。

五、总结

IRF100B202 N通道MOSFET以其卓越的性能、耐高温和高功率特性，被广泛应用于多个领域。无论是在电源管理、工业控制，还是在汽车电子及高温环境应用中，该器件均展现出了高可靠性和优异的电气性能。凭借其较低的导通电阻、高功率散热能力及宽广的工作温度范围，IRF100B202不仅提升了系统的效率，还有助于确保长时间稳定运行。作为Infineon（英飞凌）品牌的一部分，这款MOSFET传承了优秀的设计和制造工艺，确保了高质量和优良的市场竞争力。