IPD096N08N3GATMA1
IPD096N08N3GATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 73A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.6 毫欧 @ 46A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 46µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2410pF @ 40V |
IPD096N08N3GATMA1手册
IPD096N08N3GATMA1概述
产品概述：IPD096N08N3GATMA1
制造商与系列：
IPD096N08N3GATMA1 是来自英飞凌科技（Infineon Technologies）的 OptiMOS™系列 N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。作为业界领先的半导体制造商，英飞凌致力于提供高性能的功率电子元件，以满足不断增长的市场需求。
产品规格与特性：
该MOSFET具有卓越的电气性能和热稳定性，适用于多种应用场景。其关键参数如下：
- 漏极电流（Id）： 产品的连续漏极电流为73A，适用于高电流动态场合，满足大功率电路的需求。
- 导通电阻（Rds On）： 在10V的驱动电压下，导通电阻最大值仅为9.6毫欧（@46A），有效降低了在开关过程中能量损耗，提高了整体效率。
- 漏源电压（Vdss）： 产品的漏源电压为80V，确保能够承受高电压场合，适合对电压有一定要求的应用。
- 功率耗散： 最高功率耗散为100W，使得该产品在高功率应用中能够有效降低温度，提高系统的可靠性。
- 工作温度范围： 它的工作温度范围为-55°C至175°C，极大地拓宽了使用环境，让该MOSFET适用于恶劣条件下的可靠运行。
驱动电压与阈值电压：
该MOSFET的驱动电压为6V至10V范围内，适应不同设计需求。在Vgs(th)条件下，其最大阈值电压为3.5V（@46μA），表明在较低的栅压下也能够有效触发开关，增强了其在低电压应用下的适应能力。
电容特性与栅极电荷：
在不同Vgs条件下，栅极电荷（Qg）最大值为35nC（@10V），有助于提高开关速度，降低开关损耗。同时，输入电容（Ciss）在不同Vds条件下最大值为2410pF（@40V），对于高频应用有良好的适应性，保证了信号传输的稳定性。
封装与安装：
IPD096N08N3GATMA1采用表面贴装的PG-TO252-3封装（也称作TO-252-3或DPak），其紧凑的设计有助于在有限的空间内高效集成，尤其适合于现代电子设备的小型化需求。
应用场景：
该MOSFET可广泛应用于如电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、电机控制、电池管理等领域。由于其高效导通和优异的热性能，可以有效提升系统的整体效率及响应速度。
总结：
IPD096N08N3GATMA1是一款具有高导电性、低热损耗且能够承受高工作温度的N通道MOSFET，适合在苛刻工作环境下的多种功率电子应用。凭借其优越的电气特性，这款产品将为各类电子设备提供高效、可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业控制，还是在交通和能源转换等领域，IPD096N08N3GATMA1都将是设计师和工程师的理想选择。